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龙图腾网恭喜杭州沃镭智能科技股份有限公司申请的专利一种IGBT功率半导体测试设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112285516B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011041963.8，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种IGBT功率半导体测试设备是由郭斌;闫晗;赵静;彭云良;王彦明;刘俊丽;方辉煌;陈涛设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT功率半导体测试设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种IGBT功率半导体测试设备，涉及一种IGBT功率半导体测试技术。它解决了现有技术中测试设备的主回路会带来不必要的杂散电感的问题。本IGBT功率半导体测试设备，包括IGBT双脉冲测试电路，所述IGBT双脉冲测试电路具有多级测试电感负载，IGBT双脉冲测试电路的高压电容为母排电容组，所述母排电容组由低感值储能电容器通过叠层母排并联而成，所述叠层母排电容组具有对称的电容器连接口；每个低感值储能电容器并联高频吸收电容，用以吸收测试过程中产生的电压尖峰。本发明实现对IGBT等功率半导体模组的动态工作特性及损耗的测试，减小回路中杂散电感对测试结果的影响，提高整体的测试精度。

本发明授权一种IGBT功率半导体测试设备在权利要求书中公布了：1.一种IGBT功率半导体测试设备，包括IGBT双脉冲测试电路，其特征在于，IGBT双脉冲测试电路具有多级测试电感负载，IGBT双脉冲测试电路的高压电容为母排电容组，母排电容组由低感值储能电容器通过叠层母排并联而成，叠层母排电容组具有对称的电容器连接口；每个低感值储能电容器并联高频吸收电容，用以吸收测试过程中产生的电压尖峰；高压电容具有泄流回路，泄流回路包括高压接触器、耐高压功率电阻，闭合高压接触器实现对母排电容组进行泄能，高压接触器实行常闭连接；多级测试电感负载的空心电感由特制的膜包线绕制而成，膜包线由1000股0.08mm的漆包线绞制而成，膜包线的外膜是由耐高温的聚酰亚胺膜组成，聚酰亚胺膜双面进行粘制处理；测试装置的产品测试探针设置在针床下面，针床下方设置待测产品托盘，针床下方设置用于传送待测产品的传送带，待测产品托盘具有支撑腿，待测产品托盘通过升降腿支撑在待测产品传送轨道上，升降腿包括剪叉升降机构，剪叉升降机构上部的杆体的内侧端部与伸缩装置连接，剪叉升降机构上方的杆体的外侧端部与导杆的端部铰链连接，导杆滑动设置在导向座上，导向座固定在待测产品托盘上，伸缩装置的伸缩方向与待测产品托盘移动方向垂直，待测产品传送轨道上并列设置两组传送带，剪叉升降机构支撑在脚轮上；多级测试电感负载为第一空心电感、第二空心电感、第三空心电感、第四空心电感一端共同连接至负载铜排上，第一空心电感的另一端连接到第一负载连接块上，第二空心电感连接到第二负载连接块上，第三空心电感连接到第三负载连接块上，第四空心电感连接到第四负载连接块上，第一负载连接块、第二负载连接块、第三负载连接块、第四负载连接块分别通过绝缘块连接于铜排上；在负极铜排上方连接有与四个负载连接块上端连接块静触点对应的四个铜排静触点，在负极铜排下方连接有与四个负载连接块下端连接块静触点对应的四个铜排静触点，从而每个连接块静触点与一个铜排静触点构成一个触点对，对应每个触点对设置有伸缩接触块，伸缩接触块上设置有与触点对对应的两个伸缩接触块触点，伸缩接触块上两个触点电连接，接触块伸缩气缸控制伸缩接触块相对铜排移动，实现连接块静触点与铜排静触点电连接的通断。

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