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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利用于使用反转图案形成图案的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889401B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110054311.6，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权用于使用反转图案形成图案的方法是由李政衡;朴萨汉;宋姝璃;林志英;郑相禧设计研发完成，并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于使用反转图案形成图案的方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种用于使用反转图案形成图案的方法。在形成图案的方法中，可以在下反转层上形成第一上反转图案和第二上反转图案。可以形成缓冲层以填充由第一上反转图案提供的第一开口部分。可以形成遮蔽图案以覆盖缓冲层的第二区域。可以使用遮蔽图案和第一上反转图案作为第一刻蚀掩模来执行刻蚀工艺，以形成第一下反转图案以及缓冲层图案和与遮蔽图案重叠的第二下反转图案，该第一下反转图案提供与第一开口部分重叠的第二开口部分。可以形成硬掩模层并进行刻蚀以分离填充第一开口部分和第二开口部分的硬掩模层第一图案。可以使用硬掩模层第一图案和第二上反转图案作为刻蚀掩模来执行刻蚀工艺，以形成与第二上反转图案重叠的第三下反转图案。

本发明授权用于使用反转图案形成图案的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成图案的方法，所述方法包括：在包括第一区域和第二区域的半导体衬底上顺序地形成第一硬掩模层、下反转层和上反转层；将所述上反转层图案化为位于所述第一区域上的第一上反转图案和位于所述第二区域上的第二上反转图案，并在所述第一上反转图案之间提供第一开口部分；形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一上反转图案和所述第二上反转图案；形成遮蔽图案，所述遮蔽图案覆盖所述缓冲层的位于所述第二区域上的第二部分，而留下所述缓冲层的位于所述第一区域上的第一部分被暴露；将所述下反转层和所述缓冲层图案化为第一下反转图案以及缓冲层图案和与所述遮蔽图案重叠的第二下反转图案，其中所述第一下反转图案提供分别与所述第一开口部分重叠的第二开口部分；形成第二硬掩模层，所述第二硬掩模层覆盖所述第一上反转图案和所述缓冲层图案；刻蚀所述第二硬掩模层以形成第二硬掩模层第一图案和第二硬掩模层第二图案，所述第二硬掩模层第一图案填充所述第一开口部分和所述第二开口部分，所述第二硬掩模层第二图案填充所述第一上反转图案与所述缓冲层图案之间的空间；以及选择性地去除所述第一上反转图案。

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