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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利阵列基板、微流控装置、微流控系统、荧光检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115605743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180000466.X，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权阵列基板、微流控装置、微流控系统、荧光检测方法是由邓睿君;杨帆;刘祝凯;丁丁设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板、微流控装置、微流控系统、荧光检测方法在说明书摘要公布了：一种阵列基板、微流控装置、微流控系统以及荧光检测方法。阵列基板（100）包括至少一个凹陷部（103），其中，阵列基板位于一平面内，至少一个凹陷部在平面上的正投影的面积与阵列基板在平面上的正投影的面积的比值介于0.05至0.60之间。该面积比可以使阵列基板具有恰当数量和恰当腔室容积的凹陷部。

本发明授权阵列基板、微流控装置、微流控系统、荧光检测方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，包括至少一个凹陷部，其中，所述阵列基板位于一平面内，所述至少一个凹陷部在所述平面上的正投影的面积与所述阵列基板在所述平面上的正投影的面积的比值介于0.05至0.60之间，所述阵列基板还包括：第一衬底；位于所述第一衬底上的限定层，其限定所述至少一个凹陷部；遮挡层，其限定至少一个开口；以及亲水层和第一疏水层，其中，所述至少一个开口在所述第一衬底上的正投影与所述至少一个凹陷部在所述第一衬底上的正投影至少部分重叠，其中，所述遮挡层在所述第一衬底上的正投影与所述限定层在所述第一衬底上的正投影至少部分重叠，其中，所述亲水层覆盖所述至少一个凹陷部的侧壁、所述限定层远离所述第一衬底的表面以及所述至少一个凹陷部的底部，其中，所述第一疏水层位于所述限定层远离所述第一衬底的一侧并且相较于所述亲水层更远离所述第一衬底，其中，所述第一疏水层限定多个孔，所述限定层限定多个凹陷部，所述遮挡层限定多个开口，所述多个孔、所述多个凹陷部以及所述多个开口一一对应，其中，所述多个孔中的每一个在所述第一衬底上的第一正投影和与该孔对应的一个开口在所述第一衬底上的第三正投影均位于与该孔对应的一个凹陷部在所述第一衬底上的第二正投影之内，并且所述第一正投影、所述第二正投影和所述第三正投影构成同心圆环，并且其中，所述第一正投影位于所述第二正投影和所述第三正投影之间，并且所述第三正投影位于所述第一正投影之内。

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