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龙图腾网恭喜杭州宏晟微电子有限公司申请的专利一种功率半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112928167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110363338.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种功率半导体器件及其制造方法是由陈龙设计研发完成，并于2021-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种功率半导体器件及其制造方法，该方法包括在第一掺杂类型的半导体衬底中形成沟槽，在所述沟槽中形成第一介质层和第二介质层；去除沟槽顶部分区域一定深度的第一介质层；去除沟槽内的第二介质层，形成第二凹槽结构；在第二凹槽内形成栅氧，使凹槽侧壁底部氧化层由第一介质层、栅氧构成，厚度较厚，形成无缝隙填充的导电材料；选择性去除沟槽顶的导电材料使导电材料分离一定距离，在沟槽中形成第三凹槽和第四凹槽；在所述第三凹槽和第四凹槽填充第三介质层，减少屏蔽导体和栅极导体之间短接、漏电风险，优化GS间的电容参数，从而可以提高功率半导体器件的良率，减少可靠性风险。

本发明授权一种功率半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件的制造方法，其特征在于：方法步骤如下：S1：以具有特定掺杂类型的半导体衬底为原料，在衬底上形成外延层，并在外延层上开设一定宽度和深度的沟槽；S2：在外延层的表面和沟槽内依次设置第一介质层和第二介质层；S3：采用化学机械平面化的方法去除外延层的表面和沟槽顶部的第二介质层；S4：采用湿法或干法刻蚀去除外延层表面和沟槽顶部的第一介质层，形成第一凹槽结构；S5：采用湿法或干法刻蚀去除沟槽内的第二介质层，形成第二凹槽结构；S6：在第二凹槽靠外延层侧壁上采用热氧化工艺进行栅氧氧化，使得第二凹槽中形成导电材料；S7：选择性去除沟槽中的导电材料，并使得导电材料分离一定的距离形成第三凹槽和第四凹槽；S8：采用热氧化或化学气相沉积CVD方法，在第三凹槽和第四凹槽中填充第三介质层；S9：选择合适的掺杂剂，采用多次离子注入的方法形成不同类型的掺杂区，然后进行热退火以激活杂质，形成器件的体内掺杂区以及需要的PN结器件结构；S10：采用化学气相沉积CVD的方法在外延层表面和沟槽顶部形成第四介质层，并采用光刻、刻蚀工艺选择性形成接触孔，进行接触孔注入；S11：采用MOCVD、PVD工艺淀积Ti、TiN、W、Al、AlSi、AlCu、AlSiCu金属材料中的一种或多种组合填充接触孔，再采用光刻、刻蚀工艺形成金属电极；在步骤S5中，采用湿法或干法刻蚀，使沟槽中所有第二介质层全部去除，保留S4中形成的第一介质层形貌，形成外延层表面、沟槽顶部弧形侧壁裸露的第二凹槽结构，当第二凹槽形成后，后续多晶需要填充的区域纵宽比小于沟槽的纵宽比。

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