恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社平田直文获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110678555.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权半导体装置是由平田直文;蔵口友美;植木伸一;堀阳一;谷平圭设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的实施方式的半导体装置具备包含第1导电型的第1半导体层的半导体部、设置于上述半导体部的背面上的第1电极、和设置于上述半导体部的表面上的第2电极。上述第2电极包含势垒层和金属层，上述势垒层与上述第1半导体层相接，包含钒或钒化合物作为主要成分。上述金属层设置于上述势垒层上。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具备：半导体部，该半导体部包含第1导电型的第1半导体层；第1电极，该第1电极设置于所述半导体部的背面上；和第2电极，该第2电极是设置于所述半导体部的表面上的第2电极，所述第2电极包含势垒层和金属层，所述势垒层与所述第1半导体层相接，包含钒或钒化合物作为主要成分，所述金属层设置于所述势垒层上，所述势垒层包含第1层和第2层，所述第1层按照与所述第1半导体层相接的方式设置，包含硅钒及碳化钒中的至少任一者，所述第2层设置于所述第1层与所述金属层之间，包含金属钒或氮化钒。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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