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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利微型发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927602B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210194375.0，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权微型发光二极管芯片及其制备方法是由兰叶;王江波;朱广敏设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本微型发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法。该微型发光二极管芯片包括：外延结构和导光层；所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述导光层位于所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面，所述外延结构远离所述导光层的表面为出光面；所述导光层包括交替层叠的多层氧化钛层和多层氧化硅层，所述氧化硅层内嵌有多个间隔分布的柱状结构，所述柱状结构沿垂直于所述出光面的方向延伸，所述柱状结构的折射率与所述氧化硅层的折射率不同。本公开能改善芯片之间出现的光串扰的问题，减少侧面出光比例，提升发光效果。

本发明授权微型发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管芯片，其特征在于，所述微型发光二极管芯片包括：外延结构1和导光层30；所述外延结构1包括依次层叠的第一半导体层11、多量子阱层12和第二半导体层13，所述导光层30位于所述第二半导体层13远离所述第一半导体层11的表面，所述外延结构1远离所述导光层30的表面为出光面；所述导光层30包括交替层叠的多层氧化钛层32和多层氧化硅层31，所述氧化硅层31内嵌有多个间隔分布的柱状结构33，所述柱状结构33沿垂直于所述出光面的方向延伸，所述柱状结构33的折射率与所述氧化硅层31的折射率不同；所述外延结构1的侧壁在所述出光面所在平面的正投影位于所述出光面内，所述外延结构1的侧壁设置有增透膜51，所述增透膜51覆盖所述第一半导体层11的侧壁、所述多量子阱层12的侧壁和所述第二半导体层13的侧壁，所述增透膜51远离所述外延结构1的表面具有凸起52，所述凸起52的延伸方向与所述出光面垂直。

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