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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083964B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210761295.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法是由兰玥设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法，该工艺腔室包括：腔体，沿腔体的内壁周向环绕设置有环形的内衬组件，内衬组件的内环侧设有沉积阻挡环，腔体的底部设有用于承载待加工基片且可升降的基座；内衬组件上沿内衬组件的周向设有多个贯穿内衬组件侧壁的第一开孔；沉积阻挡环上沿沉积阻挡环的周向设有多个贯穿沉积阻挡环侧壁的第二开孔；腔体的内侧壁上沿腔体的周向设有与多个第一开孔相对的加热灯组件；当基座带动沉积阻挡环上升至第一工艺位时，第二开孔与第一开孔相互错开；当基座带动沉积阻挡环上升至第二工艺位时，第二开孔与第一开孔至少部分重叠，且第二工艺位高于第一工艺位。本发明能够消除回流工艺中的滑片与碎片风险。

本发明授权工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体工艺设备的工艺腔室，其特征在于，包括：腔体，所述腔体内沿所述腔体的内壁周向环绕设置有环形的内衬组件，所述内衬组件的内环侧设有沉积阻挡环，所述腔体的底部设有用于承载待加工基片且可升降的基座；所述内衬组件上沿所述内衬组件的周向设有多个贯穿所述内衬组件侧壁的第一开孔；所述沉积阻挡环上沿所述沉积阻挡环的周向设有多个贯穿所述沉积阻挡环侧壁的第二开孔；所述腔体的内侧壁上沿所述腔体的周向设有与多个所述第一开孔相对的加热灯组件；当所述基座带动所述沉积阻挡环上升至第一工艺位时，所述第二开孔与所述第一开孔相互错开；当所述基座带动所述沉积阻挡环上升至第二工艺位时，所述第二开孔与所述第一开孔至少部分重叠，且所述第二工艺位高于所述第一工艺位。

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