恭喜湖南融创微电子有限公司蔡磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖南融创微电子有限公司申请的专利一种NVM存储单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172377B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210819854.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种NVM存储单元是由蔡磊;陈强;杨国庆;刘祥远;傅祎晖;肖海鹏设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种NVM存储单元在说明书摘要公布了：本发明适用于存储技术领域，提供了一种NVM存储单元，其包括衬底、设置于所述衬底上的四个子单元模块以及PN结二极管，每个所述子单元模块均包括一个NMOS管以及一个第一端与所述NMOS管的栅极连接N阱电容，四个所述子单元模块中的所述N阱电容以及所述PN结二极管共用一个N阱。本发明中NVM存储单元的PN结二极管可以在N阱反偏偏置下提供空穴，避免N阱电容在编程时进入深耗尽区，以提高编程的效率并降低编程电压，从而降低编程高压对NVM存储单元的尺寸要求，进而缩小NVM存储单元的面积，使其适用于大多数芯片。
本发明授权一种NVM存储单元在权利要求书中公布了：1.一种NVM存储单元，其特征在于，包括衬底、设置于所述衬底上的四个子单元模块以及PN结二极管，每个所述子单元模块均包括一个NMOS管以及一个第一端与所述NMOS管的栅极连接N阱电容，四个所述子单元模块中的所述N阱电容以及所述PN结二极管共用一个N阱；四个所述子单元模块中的所述NMOS管的漏极分别作为所述NVM存储单元的四个漏端，四个所述子单元模块中同列的两个所述NMOS管的源极连接在一起以作为所述NVM存储单元的一个源端，四个所述子单元模块中同行的两个所述N阱电容的第二端相互连接；所述PN结二极管的正极与第一组同行的两个所述N阱电容的第二端连接，所述PN结二极管的负极与第二组同行的两个所述N阱电容的第二端连接在一起以作为所述NVM存储单元的控制端。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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