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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050813B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210829590.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法是由魏杰;赵智家;邓思宇;杨可萌;郗路凡;孙涛;廖德尊;张成;贾艳江;罗小蓉设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaNHEMT器件的制造方法。该制造方法中，先采用光刻工艺，形成宽度依次变小的窗口，之后通过宽度依次变小的窗口一次性干法刻蚀实现深度依次变浅的阶梯槽，最后进行一次性氟离子注入，形成渐变掺杂阶梯氟离子终端。该终端能更好地优化表面电场，提升器件耐压，并且该制造方法通过一次性氟离子注入形成栅下氟离子区和渐变掺杂阶梯氟离子终端，同时实现了增强型和提高器件耐压，降低工艺的难度。另外，该制造方法中氟离子注入到钝化层中而非直接注入到势垒层AlGaN中，可减小对二维电子气迁移率的影响，抑制动态电阻增加和电流崩塌效应，改善器件正向导通和动态特性。

本发明授权一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaNHEMT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：材料准备，包括自下而上层叠设置的衬底1、GaN缓冲层2、GaN沟道层3以及AlGaN势垒层4；步骤2：在AlGaN势垒层4上淀积介质形成介质钝化层5；步骤3：采用刻蚀工艺刻蚀介质钝化层5的两端，并在AlGaN势垒层4的两端显露出源极孔和漏极孔，淀积第一导电材料，采用刻蚀或者剥离工艺，形成源极6和漏极12；步骤4：采用刻蚀工艺，在介质钝化层5上表面刻蚀形成栅槽7，且栅槽7深度小于介质钝化层5的厚度；步骤5：在介质钝化层5上方涂覆光刻胶11，并光刻形成窗口区9，且窗口区9包含沿着从源极到漏极的方向依次变窄的多个窗口，窗口数量为N且N＞2，其中最靠近源极的窗口与栅槽7在竖直方向上对齐，最靠近漏极的窗口与漏极之间具有间距；步骤6：采用干法刻蚀工艺，通过窗口区9对介质钝化层5进行刻蚀，形成沿从源极到漏极的方向深度依次变浅的多个介质槽，且最深的介质槽的底部仍然还保留介质钝化层5；步骤7：通过窗口区9向介质钝化层5注入氟离子，形成多个氟离子注入区，其中位于栅槽7下方的氟离子注入区穿过介质钝化层5进入AlGaN势垒层4中，而其他氟离子区仅在介质钝化层5内，介质槽与氟离子注入区共同构成渐变掺杂阶梯氟离子终端8；去除光刻胶11，并进行退火；步骤8：淀积第二导电材料，采用刻蚀或者剥离工艺，形成栅极13。

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