恭喜大鼎光学薄膜(中山)有限公司闪雷雷获国家专利权
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龙图腾网恭喜大鼎光学薄膜(中山)有限公司申请的专利一种高截止深度滤光片及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115356799B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210914628.7，技术领域涉及：G02B5/28；该发明授权一种高截止深度滤光片及其制备方法与应用是由闪雷雷;朱小康设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高截止深度滤光片及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高截止深度滤光片及其制备方法与应用，涉及滤光片技术领域。该高截止深度滤光片，从上往下依次包括：窄带滤光膜，基片和高隔离度截止膜。该高截止深度滤光片对通光波段的透过率高，峰值透过率大于95％；截止波段的截止率深，透过率＜2％，能有效地滤除杂散光；通光波段的半带宽窄，角度效应小，隔离度高、出光功率高，功率衰减小于5％，抗激光损伤阈值高。
本发明授权一种高截止深度滤光片及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种高截止深度滤光片，其特征在于，从上往下依次包括：窄带滤光膜，基片和高隔离度截止膜；所述窄带滤光膜包括由第一SiO2膜层和第一Ta2O5膜层依次交替层叠在所述基片的一侧表面形成，其中：交替次数为22~26次；直接附着于所述基片上的所述第一SiO2膜层的光学厚度为0.5A~0.6A，其余所述第一SiO2膜层的光学厚度为1A~6A；离所述基片最近的所述第一Ta2O5膜层的厚度为0.7A-0.8A，其余所述第一Ta2O5膜层的光学厚度为1A~3A；所述高隔离度截止膜包括在所述基片的另一侧表面依次形成的第二Ta2O5膜层和第二SiO2膜层，其中：交替次数为81次；直接附着于所述基片上的第二Ta2O5膜层的光学厚度为0.2A~0.3A，其余第二Ta2O5膜层的光学厚度为0.4A~1.2A；所述第二SiO2膜层的厚度为0.5A~1.2A；其中，A表示14设计波长。
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