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恭喜松山湖材料实验室田修波获国家专利权

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龙图腾网恭喜松山湖材料实验室申请的专利一种可调节磁场发生装置及其刻蚀方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115148447B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210919655.3,技术领域涉及:H01F7/00;该发明授权一种可调节磁场发生装置及其刻蚀方法是由田修波;宋光耀设计研发完成,并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

一种可调节磁场发生装置及其刻蚀方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种可调节磁场发生装置及其刻蚀方法,其中所述装置包括:弧阴极组件;所述弧阴极组件包括可移动磁铁组和与所述可移动磁铁组对应的弧靶;所述可移动磁铁组包括多个磁铁单元;每个所述磁铁单元能分别移动调整与所述弧靶之间的距离而改变磁场于所述弧靶表面的分布,以便于通过所述弧靶对所述基片进行刻蚀。本发明所提供的可调节磁场发生装置,通过分别调整可移动磁铁组中多个磁铁单元与所述弧靶之间的距离而改变磁场于所述弧靶表面的分布,使弧靶表面的磁场均匀分布,从而有利于弧靶的均匀刻蚀,并且调节方法简单、易于操作,为基片刻蚀提供了方便。

本发明授权一种可调节磁场发生装置及其刻蚀方法在权利要求书中公布了:1.一种可调节磁场发生装置,应用于对基片的刻蚀,其特征在于,包括:弧阴极组件;所述弧阴极组件包括可移动磁铁组和与所述可移动磁铁组对应的弧靶;所述弧阴极组件的所述可移动磁铁组中包括四个磁铁单元,分别为设于中心位置的柱状的磁柱,以及以所述磁柱为中心由内至外依次嵌套设于所述磁柱外的第一磁环、第二磁环和第三磁环;所述磁铁单元的材质包括AlFeB和FeCoNi中的一种或两种;每个所述磁铁单元能分别移动调整与所述弧靶之间的距离而改变磁场于所述弧靶表面的分布,以便于通过所述弧靶对所述基片进行刻蚀;所述移动调整与所述弧靶之间的距离而改变磁场于所述弧靶表面的分布,包括:根据可移动磁铁组的材质,基于径向由内至外依次调整所述可移动磁铁组中的磁柱、第一磁环、第二磁环和第三磁环的圆形平面的端面至弧靶的距离,包括:确定所述磁柱的L4,在所述磁柱的材质为AlFeB时,L4为30-80mm;在所述磁柱的材质为FeCoNi时,L4为15-40mm;在所述磁柱基础上,加入所述第一磁环,根据公式L3=a×L4确定L3,当所述第一磁环的材质为AlFeB时,a为30-60%;当所述第一磁环的材质为FeCoNi时,a为60-90%;在所述第一磁环基础上,加入所述第二磁环,根据公式确定L2;其中b、c为自然数,b≥c;当所述第二磁环的材质为AlFeB材质时,c为1,b为1-4;当所述第二磁环的材质为FeCoNi材质时,c为4,b为5-8;在所述第二磁环基础上,加入所述第三磁环,根据公式L1=L2+f确定L1,当所述第三磁环的材质为AlFeB材质时,f为4-8mm;当所述第三磁环的材质为FeCoNi材质时,f为1-5mm;多个所述磁铁单元之间能够依据大小基于由中心至外的方向有间隙的层层包围设置,构成嵌套结构;并且,所述嵌套结构的轴向与所述弧靶相垂直,所述嵌套结构的径向截面与所述弧靶平行;在所述可移动磁铁组中,所述嵌套结构由中心至外方向相邻的两个所述磁铁单元朝向所述弧靶的端面的磁极相反而产生磁场,以便于在所述弧靶表面形成对应的磁场封闭区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人松山湖材料实验室,其通讯地址为:523808 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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