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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种快速评估PCB间耦合参数的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115293074B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210965684.3，技术领域涉及：G06F30/30；该发明授权一种快速评估PCB间耦合参数的方法是由聂宝林;张伟;王金坪;王佳宝;杜平安;于亚婷设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快速评估PCB间耦合参数的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种快速评估PCB间耦合参数的方法，通过获取需要评估耦合参数的两个PCB的近场磁场信息，建立两个PCB的磁偶极子等效模型，确认需要评估耦合参数的两个PCB所处相对位置信息，放入辐射源PCB与受扰源PCB等效模型，使用假想惠更斯面，包围受扰源PCB，移走受扰源PCB，分割假想惠更斯面，计算各面元外表面磁场，移走辐射源PCB，将受扰源PCB放入假想惠更斯面内，分割假想惠更斯面，计算各面元内表面磁场，运用互易原理，对前项后项公式推导，计算两个PCB间耦合参数。本发明的方法获取需要评估耦合参数的两个PCB的近场磁场信息，便可快速评估出两个PCB间的耦合参数，具有评估速度快、不受测试场地与设备条件限制、不需实际测试等优点。

本发明授权一种快速评估PCB间耦合参数的方法在权利要求书中公布了：1.一种快速评估PCB间耦合参数的方法，具体步骤如下：步骤S1、使用全波仿真或近场扫描的方式，获取需要评估耦合参数的两个PCB的近场磁场信息；步骤S2、使用磁偶极子等效建模方法，将两个PCB进行等效建模；步骤S3、确认需要评估耦合参数的两个PCB所处的相对位置信息；步骤S4、建立数学模型，放入辐射源PCB与受扰源PCB的等效模型，使用假想的惠更斯面罩住受扰源PCB，移走受扰源PCB，计算辐射源PCB的等效模型在惠更斯面外表面的切向电磁场；步骤S5、移走辐射源PCB，将受扰源PCB的等效模型放入步骤S4的假想的惠更斯面中，计算受扰源PCB在惠更斯面内表面的切向电磁场；步骤S6、根据步骤S4与步骤S5中提到的假想惠更斯面的内、外表面切向电磁场，使用互易原理，计算两个PCB间的耦合参数；步骤S6中所述的使用互易原理，在前项推导问题与后项推导问题中惠更斯面内、外表面切向电磁场的互易原理基本关系式具体为： 其中，上标“fwd”表示前向问题，“rev”表示后向问题，J和M分别表示电流源和磁流源；“a”表示激励源端口，“c”表示假想的惠更斯面，表示后项推导中假想惠更斯面的内表面的切向电场，表示前项推导中假想惠更斯面的外表面的电流，表示后项推导中假想惠更斯面的内表面的切向磁场，表示前项推导中假想惠更斯面的外表面的电流，表示前项推导中激励源产生的电场，表示后项推导中激励源的电流源，表示前项推导中激励源产生的磁场，表示后项推导中激励源的磁流源；使用互易原理的基本关系式后，对公式进行化简后，使用电场和磁场替代电流源和磁流源，则耦合电压的计算公式为： 其中，Zin、ZL分别为受扰源PCB激励时的输入阻抗和辐射源PCB激励时的负载，为受扰源PCB的激励电压，为惠更斯盒子表面分割后各个面元的单位法线矢量，Scell为面元面积，表示假想惠更斯面的外表面的切向磁场，表示假想惠更斯面的外表面的切向电场。

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