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龙图腾网恭喜横店集团东磁股份有限公司申请的专利一种存在边缘绕镀层的TBC太阳能电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153587B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411641021.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种存在边缘绕镀层的TBC太阳能电池的制备方法是由吴成坤;徐君;任勇;陈德爽设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存在边缘绕镀层的TBC太阳能电池的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种存在边缘绕镀层的TBC太阳能电池的制备方法。本发明通过特殊的“直接氧化‑间接沉积‑高温退火”+“高温致密化+硼掺杂”组合工艺在硅片边缘预构建绝缘介质膜使边缘绕镀区域与硅片基底绝缘隔离，因此即使成品TBC太阳能电池的边缘存在绕镀层，绕镀部分也不会有较大漏电产生；其次，该绝缘介质膜还具有优异的钝化效果，可进一步钝化硅片侧面区域，有利于提升电池的电学性能。最后，与常规TBC太阳能电池的边缘全部为金字塔绒面相比，本发明硅片边缘部分为金字塔绒面，部分为抛光面，边缘绒面状硅片在外力作用下更容易引起硅片碎片，而抛光面则更加有助于提高电池片良率。

本发明授权一种存在边缘绕镀层的TBC太阳能电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存在边缘绕镀层的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于包括：S1、硅片双面抛光；S2、将硅片层状堆叠为硅片组合；S3、通入N2O，使硅片组合的四个边缘浅表面直接氧化为厚12nm的第一氧化硅层；通入SiH4、N2O，在第一氧化层表面间接沉积厚180nm的第二氧化硅层，两者组合构成绝缘介质膜；S4、背面去氧化层；S5、背面沉积隧穿氧化层、本征多晶硅层；S6、两步通源硼扩散，使本征多晶硅层转为硼扩散层和BSG层，使绝缘介质膜致密化和硼掺杂；一步通源：BCl3流量200sccm，O2流量1200sccm，温度850℃，时间10min；氧化推进：O2流量7000sccm，温度950℃，时间30min；二步通源：BCl3流量70sccm，O2流量500sccm，温度860℃，时间25min；S7、去除磷扩散区和隔离区的BSG层；S8、碱清洗；S9、背面沉积隧穿氧化层、本征多晶硅层；S10、磷扩散，使本征多晶硅层转为磷扩散层和PSG层；S11、去除硼扩散区和隔离区的PSG层；S12、去绕镀；S13、清洗制绒；S14、双面镀膜；S15、丝网印刷，烧结，光注入。

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