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龙图腾网恭喜南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种空间GaInP/GaAs/CuInGaSe三结电池外延片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109638089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811416774.7，技术领域涉及：H10F77/124；该发明授权一种空间GaInP/GaAs/CuInGaSe三结电池外延片的制造方法是由万智;徐培强;林晓珊;张银桥;汪洋;王向武设计研发完成，并于2018-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种空间GaInP/GaAs/CuInGaSe三结电池外延片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种空间GaInPGaAsCuInGaSe三结电池外延片的制造方法，其包括双面抛光的n型GaAs衬底，在所述的GaAs衬底上表面沉积有GaAs欧姆接触层、GaInP子电池、GaInPAlGaAs隧穿结层、GaAs子电池、GaAs隧穿结层、GaAs缓冲层。所述的GaAs衬底下表面溅射有CuInGaSe子电池,GaInPGaAsCuInGaSe三结电池的带隙组合为1.9eV1.42eV1.1eV。本发明通过更加优化的带隙组合，使得三结电池对太阳光谱的利用率进一步提高，从而提升了电池的光电转化效率。

本发明授权一种空间GaInP/GaAs/CuInGaSe三结电池外延片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种空间GaInPGaAsCuInGaSe三结电池外延片的制造方法，其特征在于：GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片，在所述的GaAs衬底上表面从上至下依次沉积有n型GaAs欧姆接触层、GaInP子电池、GaInPAlGaAs隧穿结层、GaAs子电池、GaAs隧穿结层、GaAs缓冲层，所述的GaAs衬底下表面溅射有CuInGaSe子电池，其中GaInP子电池由n型AlInP窗口层、n型GaInP发射区层、p型GaInP基区层、p型AlGaInP背场层构成，GaAs子电池由n型AlInP窗口层、n型GaAs发射区层、p型GaAs基区层、p型GaInP背场层、p型AlGaAsAlGaInAs反射层构成；CuInGaSe子电池从上至下依次溅射有TCO层、i-ZnO层、CdS缓冲层、CuInGaSe层、Mo层、MoNa层；所述的空间GaInPGaAsCuInGaSe三结电池的带隙组合为1.9eV1.42eV1.1eV。

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