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龙图腾网恭喜芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利三维电容器结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987075B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910450214.1，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权三维电容器结构及其制作方法是由尹晓明;肖德元;马强设计研发完成，并于2019-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维电容器结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维电容器结构及其制作方法，结构包括：导电基底；叠层结构，包括交替层叠的导电层及空腔层，叠层结构内具有沟槽，沟槽将叠层结构隔离成多个鳍形叠层单元，导电层表面形成有粗糙导电结构；导电支撑柱，穿过鳍形叠层单元，连接导电层及导电基底；电容介质层，形成于导电层表面、导电支撑柱表面及沟槽底部；导电材料，填充于空腔层及沟槽中。本发明在三维堆叠的导电层表面形成电容介质层，并在电容介质层上形成导电材料作为电极，从而构成三维电容器，该三维电容器通过控制导电层的堆叠的层数，可以实现非常高的电容密度。粗糙导电结构可以有效提高电容器的电学性能及机械性能。

本发明授权三维电容器结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维电容器结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：1提供一导电基底，于所述导电基底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的导电层及牺牲层；2于所述导电基底及堆叠结构中形成导电支撑柱，所述导电支撑柱的顶面与所述堆叠结构的顶面齐平，所述导电支撑柱连接所述导电层及所述导电基底；3于所述堆叠结构刻蚀沟槽，所述沟槽将所述堆叠结构隔离成多个鳍形堆叠单元，每个所述鳍形堆叠单元至少包含一根所述导电支撑柱；4选择性刻蚀去除所述鳍形堆叠单元中的牺牲层以形成空腔层，所述空腔层显露所述鳍形堆叠单元中的导电层表面，且所述导电层由所述导电支撑柱支撑；5采用半球状颗粒化工艺对所述鳍形堆叠单元中的导电层表面进行处理，以在所述导电层表面形成粗糙导电结构；6于所述导电层表面及所述沟槽底部形成电容介质层；7于所述空腔层及所述沟槽中填充导电材料，以形成三维电容器结构的第一电极，所述导电层由所述导电支撑柱电性引出至所述导电基底，以形成三维电容器的第二电极；所述堆叠结构还包括周边区域，所述周边区域中形成有贯穿所述堆叠结构的导电柱，以将所述导电基底电性引出至所述堆叠结构的上表面，其中，所述导电柱与所述堆叠结构之间具有绝缘层；所述导电层包括掺杂的多晶硅，所述导电支撑柱的材料包括钨；还包括：于所述导电材料表面制作第一焊盘，于所述周边区域的堆叠结构上形成第二焊盘，所述第二焊盘与所述导电柱连接；其中组成六方阵列排布的7个所述鳍形堆叠单元的所述第一电极相互电性连接，并共同连接至同一个所述第一焊盘。

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