买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜全球能源互联网研究院有限公司申请的专利一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111710671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010768651.0，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法是由王亮;石浩;杜玉杰设计研发完成，并于2020-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法在说明书摘要公布了：一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法，高压功率半导体芯片的封装结构包括：基板；位于所述基板上的高压功率半导体芯片，所述高压功率半导体芯片与所述基板相背的一面具有栅极；覆盖所述高压功率半导体芯片的第一封装框盖，所述第一封装框盖具有第一顶板，所述第一顶板中具有栅极预留口；栅极引出部，所述栅极引出部的一端位于所述栅极预留口中且与所述栅极电学连接。所述高压功率半导体芯片的封装结构的寄生电感降低。

本发明授权一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法在权利要求书中公布了：1.一种高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上的高压功率半导体芯片，所述高压功率半导体芯片与所述基板相背的一面具有栅极；覆盖所述高压功率半导体芯片的第一封装框盖，所述第一封装框盖具有第一顶板，所述第一顶板中具有栅极预留口；所述栅极预留口贯穿所述第一顶板；所述第一顶板中还具有位于所述第一顶板部分厚度的附加槽，所述附加槽的开口背向所述高压功率半导体芯片，所述附加槽位于所述栅极预留口的侧部且与所述栅极预留口连通；所述栅极引出部还位于所述附加槽中；栅极引出部，所述栅极引出部的一端位于所述栅极预留口中且与所述栅极电学连接；所述栅极引出部包括第一引出部和第二引出部，所述第二引出部的一端与所述第一引出部的一端连接，所述第一引出部和所述第二引出部构成“L”形，所述第一引出部位于所述栅极预留口中且与所述栅极电学连接，所述第二引出部位于所述附加槽中；所述栅极引出部的顶面面积大于所述栅极的顶面面积；所述高压功率半导体芯片的封装结构还包括：第一测试电极组件，所述第一测试电极组件包括第一电极连接件和与所述第一电极连接件连接的第一主测试电极，所述第一电极连接件位于所述第一封装框盖上且分别与所述栅极引出部电学连接；其中，所述栅极引出部的顶面包括测试连接区域，所述测试连接区域用于与第一测试电极组件电学连接；所述测试连接区域的面积为所述栅极的顶面面积的2倍～8倍。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人全球能源互联网研究院有限公司，其通讯地址为：102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。