恭喜瑞昱半导体股份有限公司苏宏德获国家专利权
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龙图腾网恭喜瑞昱半导体股份有限公司申请的专利去耦合电容的漏电流阻挡电路和漏电流阻挡方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744600B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110018785.5，技术领域涉及：H02H9/02；该发明授权去耦合电容的漏电流阻挡电路和漏电流阻挡方法是由苏宏德设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本去耦合电容的漏电流阻挡电路和漏电流阻挡方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种去耦合电容的漏电流阻挡电路和漏电流阻挡方法。去耦合电容的第一端耦接电源电压，漏电流阻挡电路则耦接于去耦合电容的第二端和接地电压间，且其包括至少一开关。该至少一开关用来当去耦合电容未损坏时，提供通道来让去耦合电容耦接至接地电压，并且当去耦合电容损坏时，该至少一开关被关闭来阻挡去耦合电容的漏电流。
本发明授权去耦合电容的漏电流阻挡电路和漏电流阻挡方法在权利要求书中公布了：1.一种去耦合电容的漏电流阻挡电路，该去耦合电容的一第一端耦接一电源电压，该漏电流阻挡电路则耦接于该去耦合电容的一第二端和一接地电压间，且该漏电流阻挡电路包括：至少一开关，用来当该去耦合电容未损坏时，提供一通道来让该去耦合电容耦接至该接地电压，并且当该去耦合电容损坏时，该至少一开关被关闭来阻挡该去耦合电容的漏电流，其中该至少一开关为一第一N型金属氧化物半导体场效晶体管，该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接该去耦合电容的该第二端，且该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的源极耦接该接地电压，其中该漏电流阻挡电路还包括：一第二N通道空乏型金属氧化物半导体场效晶体管，该第二N通道空乏型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极与该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的该漏极通过一第一节点共同耦接该去耦合电容的该第二端，且该第二N通道空乏型金属氧化物半导体场效晶体管的源极与该第二N通道空乏型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极共同耦接一第二节点；以及一反相器，该反相器的输入端耦接该第二节点，且该反相器的输出端耦接该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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