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龙图腾网恭喜格科半导体(上海)有限公司申请的专利沟槽填充方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513127B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110699512.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权沟槽填充方法及半导体器件是由邹文;付文;胡杏;许乐设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽填充方法及半导体器件在说明书摘要公布了：一种沟槽填充方法及半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度；采用化学气相沉积工艺形成第一钨层，所述第一钨层填满所述第一沟槽；采用物理气相沉积工艺形成第二钨层，所述第二钨层覆盖所述第一钨层，且填充所述第二沟槽的一部分。本发明可以有效避免影响后续工艺中金属铝沉积后表面的平整度，降低铝垫的缺陷风险以及外观缺陷，降低后续工艺中的副产物残留风险，提高半导体器件的品质。

本发明授权沟槽填充方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽填充方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度；采用化学气相沉积工艺形成第一钨层，所述第一钨层填满所述第一沟槽；采用物理气相沉积工艺形成第二钨层，所述第二钨层覆盖所述第一钨层，且填充所述第二沟槽的一部分；在采用化学气相沉积工艺形成第一钨层之前，还包括：提供试运行晶圆，所述试运行晶圆具有检测第一沟槽以及检测第二沟槽，且所述检测第一沟槽与所述第一沟槽尺寸一致，以及所述检测第二沟槽与所述第二沟槽尺寸一致；在所述试运行晶圆的表面，采用所述化学气相沉积工艺形成第一检测钨层，所述第一检测钨层填满所述第一沟槽并覆盖所述第二沟槽的底部表面及侧壁；在所述第一检测钨层的表面，采用所述物理气相沉积工艺形成第二检测钨层；采用预设的粗糙度指示参数，对所述试运行晶圆进行检测，其中，所述粗糙度指示参数用于指示所述第一检测钨层或第二检测钨层表面的粗糙度；如果所述粗糙度指示参数的检测结果超出预设粗糙度指示参数阈值，则在采用化学气相沉积工艺形成第一钨层的过程中，进行回刻蚀处理。

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