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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种基于金刚石的SiC PIN二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111169988.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种基于金刚石的SiC PIN二极管及其制造方法是由张瑜洁;施广彦;李佳帅;李志君;黄波设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于金刚石的SiC PIN二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于金刚石的SiCPIN二极管及其制造方法，所述二极管包括：一N型欧姆电极；一N型重掺杂半导体传输层，所述N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至所述N型欧姆电极的上侧面；一N型掺杂金刚石耐压提高层，所述N型掺杂金刚石耐压提高层的下侧面连接至所述N型重掺杂半导体传输层的上侧面；一N型本征层，所述N型本征层的下侧面连接至所述N型掺杂金刚石耐压提高层的上侧面；一P型重掺杂半导体传输层，所述P型重掺杂半导体传输层下侧面连接至所述N型本征层的上侧面；及，一P型欧姆电极，所述P型欧姆电极的下侧面连接至所述P型重掺杂半导体传输层的上侧面，大大提高了二极管的耐压耐电流能力。

本发明授权一种基于金刚石的SiC PIN二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于金刚石的耐压耐电流SiCPIN二极管，其特征在于：包括：一N型欧姆电极；一N型重掺杂半导体传输层，所述N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至所述N型欧姆电极的上侧面；一N型掺杂金刚石耐压提高层，所述N型掺杂金刚石耐压提高层的下侧面连接至所述N型重掺杂半导体传输层的上侧面；一N型本征层，所述N型本征层的下侧面连接至所述N型掺杂金刚石耐压提高层的上侧面；一P型重掺杂半导体传输层，所述P型重掺杂半导体传输层下侧面连接至所述N型本征层的上侧面；以及，一P型欧姆电极，所述P型欧姆电极的下侧面连接至所述P型重掺杂半导体传输层的上侧面；所述N型掺杂金刚石耐压提高层掺杂浓度为N型本征层的4倍。

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