买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利一种低温等离子后处理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111531363.4，技术领域涉及：H01L21/465；该发明授权一种低温等离子后处理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法是由姚日晖;李依麟;宁洪龙;邹文昕;郭晨潇;吴振宇;张康平;苏国平;杨跃鑫;彭俊彪设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低温等离子后处理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低温等离子后处理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法。制备方法包括如下步骤：1制备栅极、绝缘层和有源层；2在较低温度下进行氧气气氛退火；3进行两步掩膜版等离子处理，第一步采用高能氮气等离子处理，第二步采用低能氮气+氧气混合气体等离子处理；4通过直流溅射制备铝源漏电极，得到TFT器件。本发明方法具有设备简单、可大面积处理、处理时间短、工艺温度低等优势，采用两步等离子处理方法，可以充分发挥其能量传递和界面反应的优化作用。低温工艺不会对柔性衬底造成损伤，其普遍适用于柔性AOS‑TFT器件的可靠性提高。

本发明授权一种低温等离子后处理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法在权利要求书中公布了：1.一种低温等离子后处理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：1在基底上沉积金属薄膜作为栅极，将部分金属薄膜氧化成氧化物薄膜作为绝缘层，再采用掩模版图案化法制备有源层；2将步骤1的有源层在100～300℃、氧气气氛中退火1～3小时；3采用高能氮气等离子处理步骤2退火后的有源层背沟道；4采用低能氮气和氧气的混合气体等离子处理步骤3所得有源层的背沟道；5采用掩模版图案化法在有源层背沟道制备源漏电极，得到TFT器件；步骤4所述低能氮气和氧气的混合气体等离子处理的条件为：氮气和氧气的流量比为1:9～1:1，功率10～50W，气压0.3～0.6Torr，处理时间5～20分钟；步骤3所述高能氮气等离子处理的条件为：功率60～100W，气压0.3～0.6Torr，处理时间5～30分钟。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南理工大学，其通讯地址为：510640 广东省广州市天河区五山路381号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。