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龙图腾网恭喜深圳方正微电子有限公司申请的专利一种TiN膜层形貌的刻蚀方法及TiN膜层获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783866B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210290078.6，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权一种TiN膜层形貌的刻蚀方法及TiN膜层是由陈定平;刘重伶;周克涝;金航;刘欣;罗浩;胡华胜设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TiN膜层形貌的刻蚀方法及TiN膜层在说明书摘要公布了：本申请属于半导体集成电路技术领域，尤其涉及一种TiN膜层形貌的刻蚀方法及TiN膜层。该方法包括：对待刻蚀膜层，首先以光刻胶为掩膜，对待刻蚀膜层中的氧化硅膜层进行刻蚀，使氧化硅膜层呈正八字形态；然后以呈正八字形态的氧化硅膜为掩膜，对待刻蚀膜层中的TiN膜层进行刻蚀，使TiN膜层呈正八字形态；进一步的，采用湿法侧向腐蚀呈正八字形态的TiN膜层，使TiN膜层呈正梯形形貌，且TiN膜层的侧面与P‑氮化镓的顶面的内夹角位于85‑90度之间；剥去氧化硅膜后，得到目标TiN形貌的膜层。通过该方法制备的TiN膜层的TiN层与p‑GaN层的接触面积较大，能够减少TiN层与p‑GaN组成的反向的肖特基结的漏电情况，保证其具有较大的开启电压和较强的抗噪声能力。

本发明授权一种TiN膜层形貌的刻蚀方法及TiN膜层在权利要求书中公布了：1.一种TiN膜层形貌的刻蚀方法，其特征在于，该方法基于待刻蚀膜层进行，所述待刻蚀膜层依次包括光刻胶、氧化硅膜层、TiN膜层和P-氮化镓膜层，所述方法包括：以所述光刻胶为掩膜，对所述氧化硅膜层进行刻蚀，使所述氧化硅膜层呈正八字形态；以呈正八字形态的所述氧化硅膜为掩膜，对所述TiN膜层进行刻蚀，使所述TiN膜层呈正八字形态；采用第一混合酸液对呈正八字形态的所述TiN膜层进行湿法侧向腐蚀后，再采用第二混合酸液对呈正八字形态的所述TiN膜层进行湿法侧向腐蚀，所述第一混合酸液为氨水和双氧水的混合酸，所述第二混合酸液为硫酸和双氧水的混合酸；控制第一混合酸液中氨水和双氧水的体积比为1:1-1:2；将刻蚀温度设置为60-125℃，工艺处理时间设置为250-450秒，对呈正八字形态的所述TiN膜层进行湿法侧向腐蚀；控制第二混合酸液中硫酸和双氧水的体积比为5:1-10:1；将刻蚀温度设置为60-125℃，工艺处理时间设置为250-450秒，对呈正八字形态的所述TiN膜层进行湿法侧向腐蚀，使所述TiN膜层呈正梯形形貌，且所述TiN膜层的侧面与所述P-氮化镓的顶面的内夹角位于85-90度之间；剥去所述氧化硅膜后，得到目标TiN形貌的膜层。

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