恭喜东南大学于虹获国家专利权
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龙图腾网恭喜东南大学申请的专利一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883807B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210538381.3，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器是由于虹;陈颖设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器，属于太赫兹技术领域，调制器的结构包括超材料层、衬底层、金属板和金属电极；超材料层由周期性阵列结构组成，结构单元通过金走线与一个金属电极进行电连接，衬底层为具有负微分电阻效应的Ⅲ‑Ⅴ族半导体，金属板作为另一个金属电极；通过在两个电极上施加高偏置电压，在半导体衬底内部产生强纵向电场，引起半导体材料的负微分电阻效应，改变半导体衬底的材料性质，从而调制此器件的谐振频率和谐振强度，形成了一种电压可调的主动太赫兹超材料器件，为实现主动超材料太赫兹器件提供了一种全新的思路。
本发明授权一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器在权利要求书中公布了：1.一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器，其特征在于，该太赫兹调制器包括超材料层、衬底层、金属板和金属电极；在衬底层（4）的下面为第一高掺杂半导体层（6），在第一高掺杂半导体层（6）的下面为金属板（5），在衬底层（4）的上面为第二高掺杂半导体层（7），在第二高掺杂半导体层（7）的上面为金属电极（1）和超材料层包括结构单元（2）、金属走线（3）；所述超材料层包括周期性排列的结构单元（2），各个结构单元（2）通过金属走线（3）纵向连接以及通过金属走线（3）与金属电极（1）相连进行电连接；所述衬底层（4）为Ⅲ-Ⅴ族半导体，为具有负微分电阻效应的半导体材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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