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恭喜北京理工大学;北京理工大学长三角研究院(嘉兴)王秩伟获国家专利权

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龙图腾网恭喜北京理工大学;北京理工大学长三角研究院(嘉兴)申请的专利一种拓扑半金属纳米结构TaAs纳米线及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116970923B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310975885.6,技术领域涉及:C23C16/44;该发明授权一种拓扑半金属纳米结构TaAs纳米线及其制备方法是由王秩伟;杨莹;赵林淼;黄丽静设计研发完成,并于2023-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

一种拓扑半金属纳米结构TaAs纳米线及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种拓扑半金属纳米结构TaAs纳米线及其制备方法,属于纳米材料技术领域。按照TaCl5:As的质量比为1:1.5~3称取原料TaCl5和As,并间隔放置于样品舟中;将样品舟和镀金硅片放置于玻璃管中;将玻璃管放置于干燥的石英管中,密封,并通入氩气和氢气调节气压,然后将石英管放置于管式炉中,首先自室温升温至940~960℃,保温10~30min,然后降温至700±5℃,自然冷却,在石英管中得到所述TaAs纳米线。利用化学气相沉积方法将不可解理的Weyl半金属TaAs直接生长在硅片上,实现TaAs纳米线的合成。

本发明授权一种拓扑半金属纳米结构TaAs纳米线及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种拓扑半金属纳米结构TaAs纳米线的制备方法,其特征在于:方法步骤包括:(1)按照TaCl5:As的质量比为1:1.5~3称取原料TaCl5和As,原料TaCl5和As的纯度大于等于99.99%;(2)将原料间隔放置于样品舟中;将样品舟和镀金硅片放置于玻璃管中;(3)将玻璃管放置于干燥的石英管中,密封,将石英管抽真空至小于等于10-3Torr,接着使用氩气洗气10~30min;(4)通入氩气和氢气,使石英管内气压为190~210Torr;氩气流速为48~95SCCM,氢气流速为2~5SCCM;(5)将石英管放置于管式炉中,首先自室温升温至940~960℃,保温10~30min,然后降温至700±5℃,自然冷却;TaCl5、As和镀金硅片在玻璃管中的位置根据管式炉内温度场分布进行摆放,使TaCl5、As分别分布在各自沸点以上5℃范围内;(6)打开石英管,取出硅片,得到一种拓扑半金属纳米结构TaAs纳米线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京理工大学;北京理工大学长三角研究院(嘉兴),其通讯地址为:100081 北京市海淀区中关村南大街5号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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