恭喜江苏龙恒新能源有限公司魏小席获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏龙恒新能源有限公司申请的专利一种叠瓦电池及低折背膜与金属化工艺获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117637910B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311538540.0,技术领域涉及:H10F71/00;该发明授权一种叠瓦电池及低折背膜与金属化工艺是由魏小席;赵刚;陈实;张宇航;赵杰;张洲;李旭;任开绪;丰平;许加静设计研发完成,并于2023-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种叠瓦电池及低折背膜与金属化工艺在说明书摘要公布了:本发明公开了一种叠瓦电池及低折背膜与金属化工艺,包括由内到外依次设置的氮氧化硅层、第一硅氮层、第二硅氮层、第三硅氮层,在反应炉中通入SiH4、NH3,反应时间190‑210s,生成硅氮比为1:4.6‑4.9的第一硅氮层,在反应炉中通入SiH4、NH3,反应时间140‑160s,生成硅氮比为1:8.9‑9.1的第二硅氮层,在反应炉中通入SiH4、NH3,反应时间90‑110s,生成硅氮比为1:11.7‑11.9的第三硅氮层。本发明既能够降低激光开槽的孔径,降低硅基底与铝的反应,又能提升SiNx的稳定性,减轻其与铝浆的化学反应,从而降低线电阻,提高了叠瓦电池的效率。
本发明授权一种叠瓦电池及低折背膜与金属化工艺在权利要求书中公布了:1.一种低折叠瓦电池背膜的金属化工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,将待处理叠瓦电池背膜放入第一反应炉中,在第一反应炉中通入SiH4、NH3、N2O,反应时间130-150s,在待处理叠瓦电池背膜上生成氮氧化硅层;步骤二,将生成氮氧化硅层的待处理叠瓦电池背膜放入第二反应炉中,在第二反应炉中通入SiH4、NH3,反应时间190-210s,在氮氧化硅层上生成第一硅氮层,第一硅氮层的硅氮比为1:4.6-4.9;步骤三,将生成第一硅氮层的待处理叠瓦电池背膜放入第三反应炉中,在第三反应炉中通入SiH4、NH3,反应时间140-160s,在第一硅氮层上生成第二硅氮层,第二硅氮层的硅氮比为1:8.9-9.1;步骤四,将生成第二硅氮层的待处理叠瓦电池背膜放入第四反应炉中,在第四反应炉中通入SiH4、NH3,反应时间90-110s,在第二硅氮层上生成第三硅氮层,第三硅氮层的硅氮比为1:11.7-11.9。
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