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龙图腾网恭喜西南交通大学申请的专利一种非接触式微米量级电场测量方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117761410B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311653967.5，技术领域涉及：G01R29/08；该发明授权一种非接触式微米量级电场测量方法及系统是由杨泽锋;李哲;魏文赋;杨子骞;唐博设计研发完成，并于2023-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非接触式微米量级电场测量方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及材料电场测量技术领域，涉及一种非接触式微米量级电场测量方法及系统，所述方法包括获取操作指令信息和映射关系，操作指令信息用于使激光能量作用于测量区域中的第一待测物体，测量区域为两个相对设置的平板电极之间的区域，第一待测物体为均压罩，映射关系包括光谱强度变化量与电场强度之间的映射关系；确定第一待测物体的待测点，响应于操作指令信息对第一待测物体的待测点发射激光能量并获取光信号，光信号为激光能量作用于均压罩产生的信号；对光信号进行分析处理，得到第一光谱信息；根据映射关系和第一光谱信息确定均压罩待测点处的电场强度，本发明解决了现有技术中难以确定均压罩在复杂工况下的实际电场的问题。

本发明授权一种非接触式微米量级电场测量方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种非接触式微米量级电场测量方法，其特征在于，包括：获取操作指令信息和映射关系，所述操作指令信息用于使激光能量作用于测量区域中的第一待测物体，所述测量区域为两个相对设置的平板电极之间的区域，所述第一待测物体为均压罩，所述映射关系包括光谱强度变化量与电场强度之间的映射关系；确定第一待测物体的待测点，响应于所述操作指令信息对所述第一待测物体的待测点发射激光能量并获取光信号，所述光信号为激光能量作用于均压罩产生的信号，所述待测点包括微米量级的点；对所述光信号进行分析处理，得到第一光谱信息；根据所述映射关系和所述第一光谱信息确定均压罩待测点处的电场强度；其中，获取所述映射关系，包括：获取电场控制指令，所述电场控制指令用于控制平板电极改变电场强度；响应于所述电场控制指令，在不同的电场强度下采集第二待测物体的待测点对应的光谱信息，得到第二光谱信息，所述第二光谱信息包括至少两张光谱图像，所述第二待测物体的材质与均匀罩相同；对所述第二光谱信息进行预处理，得到预处理后的第二光谱信息；根据所述预处理后的第二光谱信息确定所述映射关系。

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