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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581324B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510114862.5，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权一种半导体器件的制备方法是由黄祥;林成芝;董宗谕设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制备方法，半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，衬底上形成有间隔设置的栅极结构，每个栅极结构两侧均设置有侧墙结构；形成盖帽保护层，盖帽保护层覆盖栅极结构的上表面以及侧墙结构靠近栅极结构上表面的表面；通过干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺依次刻蚀衬底形成西格玛沟槽，并在西格玛沟槽中形成硅锗外延层，干法刻蚀工艺刻蚀消耗去除盖帽保护层；去除侧墙结构。本发明通过增加形成盖帽保护层的步骤，使得盖帽保护层可以在干法刻蚀工艺中保护所述栅极结构和侧墙结构，避免了栅极硬掩模的过度刻蚀以及侧墙结构的过度刻蚀的问题发生，有效保护了栅极硬掩模，从而保留了足够的制程窗口。

本发明授权一种半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有间隔设置的栅极结构，每个所述栅极结构两侧均依次设置有保护层、表面氧化层和侧墙结构；形成盖帽保护层，所述盖帽保护层覆盖所述栅极结构的上表面以及所述侧墙结构靠近所述栅极结构上表面的表面，其中，形成盖帽保护层的具体步骤为：通过沉积工艺在所述栅极结构的上表面以及所述侧墙结构表面形成一氧化硅膜层，所述氧化硅膜层还覆盖暴露出的所述表面氧化层；通过干刻刻蚀工艺清理位于所述衬底上的表面氧化层上的氧化硅膜层；周期性重复以上两个步骤，直至所述栅极结构的上表面及其附近的所述侧墙结构上保留的氧化硅膜层的厚度达到预期值，从而形成盖帽保护层；通过干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺依次刻蚀相邻所述栅极结构之间的衬底，以形成西格玛沟槽，并在所述西格玛沟槽中进行硅锗外延生长，形成硅锗外延层，其中，所述干法刻蚀工艺刻蚀消耗去除所述盖帽保护层；去除所述侧墙结构。

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