恭喜英特尔公司B·塞尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利具有颈状半导体主体的半导体器件以及形成不同宽度的半导体主体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345952B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110410997.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有颈状半导体主体的半导体器件以及形成不同宽度的半导体主体的方法是由B·塞尔设计研发完成，并于2011-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有颈状半导体主体的半导体器件以及形成不同宽度的半导体主体的方法在说明书摘要公布了：本发明描述了具有颈状半导体主体的半导体器件以及形成不同宽度的半导体主体的方法。例如，半导体器件包括设置于衬底之上的半导体主体。栅极电极堆叠体设置于半导体主体的一部分之上，以限定半导体主体中的位于栅极电极堆叠体下方的沟道区。在栅极电极堆叠体的两侧上的半导体主体中限定了源极区和漏极区。侧壁间隔体设置于邻近栅极电极堆叠体处，并且设置于源极区和漏极区的仅一部分上。相较于半导体主体的沟道区的高度和宽度，源极区和漏极区的位于侧壁间隔体下方的部分具有更大的高度和宽度。
本发明授权具有颈状半导体主体的半导体器件以及形成不同宽度的半导体主体的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：设置在衬底上的半导体主体；设置在所述半导体主体的一部分上方的栅极电极堆叠体，用于限定所述半导体主体中的位于所述栅极电极堆叠体下方的沟道区和在所述栅极电极堆叠体的任一侧上在所述半导体主体中的源极区和漏极区；以及邻近所述栅极电极堆叠体设置的并且在所述源极区和所述漏极区的仅一部分上方的侧壁间隔体，其中所述源极区和所述漏极区的位于所述侧壁间隔体下方的所述部分具有宽度，在所述宽度处所述源极区和所述漏极区的位于所述侧壁间隔体下方的所述部分与所述沟道区相接，所述宽度比所述半导体主体的所述沟道区的宽度更大。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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