恭喜成都万应微电子有限公司孙美兰获国家专利权
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龙图腾网恭喜成都万应微电子有限公司申请的专利多层芯片基板及封装方法、多功能芯片封装方法及晶圆获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110957306B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811128123.8,技术领域涉及:H01L25/07;该发明授权多层芯片基板及封装方法、多功能芯片封装方法及晶圆是由孙美兰;黄玲玲设计研发完成,并于2018-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本多层芯片基板及封装方法、多功能芯片封装方法及晶圆在说明书摘要公布了:本发明公开了一种多层芯片基板及封装方法、多功能芯片封装方法及晶圆,该多层芯片基板封装方法包括在可拆分的带有铜箔的承载板的底部和顶部分别制作线路层;制作金属柱和第一通孔;将微凸块芯片和大焊球芯片倒装焊接在线路层上,并置于第一通孔内,且大焊球芯片覆盖微凸块芯片的表面,金属柱的高度大于大焊球芯片的高度;制作第一有机树脂层;切除第一有机树脂层,裸露出金属柱;制作金属层和至少一层第一内层线路层;制作第一阻焊层;将多层芯片圆片与承载板拆分,并裸露出铜箔;去除铜箔,裸露出线路层。实施本发明,通过将微凸块芯片和大焊球芯片采用扇出型封装,形成多层芯片基板,提高工艺效率和集成度,减小结构模块的尺寸,降低封装成本。
本发明授权多层芯片基板及封装方法、多功能芯片封装方法及晶圆在权利要求书中公布了:1.一种多层芯片基板封装方法,其特征在于,包括:在可拆分的带有铜箔的承载板的底部和顶部分别制作线路层:在所述承载板的底部和顶部分别制作第二内层线路层,并在所述第二内层线路层上制作穿透所述第二内层线路层的第二通孔,并裸露出所述铜箔;制作覆盖所述第二内层线路层的介质层;在所述第二通孔对应的位置去除所述介质层形成盲孔;在所述盲孔对应的位置制作至少一层外层线路层,使所述外层线路层与所述第二内层线路层电互连;制作覆盖所述外层线路层的第二阻焊层,形成所述线路层;在所述线路层上制作金属柱,并在所述金属柱上制作第一通孔,所述金属柱与所述线路层电互连;将微凸块芯片和大焊球芯片倒装焊接在所述线路层上,所述微凸块芯片和所述大焊球芯片置于所述第一通孔内,且所述大焊球芯片覆盖所述微凸块芯片的表面,所述金属柱的高度大于所述大焊球芯片的高度;将所述微凸块芯片和所述大焊球芯片埋置在第一有机树脂层内,得到多层芯片圆片;切除所述第一有机树脂层,裸露出所述金属柱;制作覆盖所述第一有机树脂层的金属层,并制作至少一层覆盖所述金属层的第一内层线路层;制作覆盖所述第一内层线路层的第一阻焊层;在所述承载板的可拆分处将所述多层芯片圆片与所述承载板拆分,并裸露出所述铜箔;去除所述铜箔,裸露出所述线路层,得到多层芯片基板。
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