恭喜台湾积体电路制造股份有限公司许峻豪获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110931482B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910870896.1，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构是由许峻豪;柯宇骏;梁育彰;赖高廷设计研发完成，并于2019-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：半导体结构包括多个半导体鳍状物，凸出基板；多个介电鳍状物，凸出基板且位于半导体鳍状物之间；以及栅极堆叠，位于半导体鳍状物与介电鳍状物上。介电鳍状物包括第一介电材料层、位于第一介电材料层上的第二介电材料层、以及位于第二介电材料层上的第三介电材料层，其中第一介电材料层与第二介电材料层的组成不同，且第一介电材料层与第三介电材料层的组成相同。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：多个半导体鳍状物，凸出一基板；多个介电鳍状物，凸出该基板且位于所述半导体鳍状物之间，所述介电鳍状物包括一第一介电材料层、位于该第一介电材料层上的一第二介电材料层、以及位于该第二介电材料层上的一第三介电材料层，其中，该第一介电材料层与该第二介电材料层的组成不同，且该第一介电材料层与该第三介电材料层的组成相同，其中该第一介电材料层的侧壁接触该第二介电材料层及该第三介电材料层的侧壁；以及多个栅极堆叠，位于所述半导体鳍状物与所述介电鳍状物上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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