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龙图腾网恭喜弗萨姆材料美国有限责任公司申请的专利用于制备含硅和氮的膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112969818B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980073853.9，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权用于制备含硅和氮的膜的方法是由雷新建;金武性;李世远设计研发完成，并于2019-10-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制备含硅和氮的膜的方法在说明书摘要公布了：一种用于通过等离子体ALD工艺形成可以为掺杂碳的氮化硅膜的方法包括将衬底引入反应器中，该反应器被加热至最高约600℃。引入至少一种如本文定义的并具有一个或两个Si‑C‑Si键的硅前体以在衬底上形成化学吸附的膜。然后用合适的惰性气体吹扫反应器中任何未消耗的前体和或反应副产物。将包含氮的等离子体引入反应器中以与化学吸附的膜反应而形成可以为掺杂碳的氮化硅膜。再次用合适的惰性气体吹扫反应器的任何反应副产物。根据需要重复这些步骤以使可以为掺杂碳的沉积的氮化硅膜达到预定的厚度。

本发明授权用于制备含硅和氮的膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于通过等离子体增强的ALD工艺形成氮化硅的方法，该方法包括：a在反应器中提供包含表面特征的衬底，并将反应器加热至高达600℃的一个或多个温度；b将至少一种具有一个或两个Si-C-Si键并且选自1,1,1,3,3-五氯-1,3-二硅杂丁烷、1,1,1,3,3-五氯-2-甲基-1,3-二硅杂丁烷、1,1,1,3,3-五氯-2,2-二甲基-1,3-二硅杂丁烷、1,1,1,3,3-五氯-2-乙基-1,3-二硅杂丁烷、1,1,1,3,3-五氯-1,3-二硅杂戊烷、1,1,1,3,3-五氯-2-甲基-1,3-二硅杂戊烷、1,1,1,3,3-五氯-2,2-二甲基-1,3-二硅杂戊烷、1,1,1,3,3-五氯-2-乙基-1,3-二硅杂戊烷、1,1,1,3,3,5,5-七氯-1,3,5-三硅杂己烷、1,1,1,5,5-五氯-3,3-二甲基-1,3,5-三硅杂己烷、1,1,1,5,5-五氯-1,3,5-三硅杂己烷、2,2,4,6,6-五氯-4-甲基-2,4,6-三硅杂庚烷的硅前体引入所述反应器中，从而使所述硅前体在所述衬底的表面特征的至少一部分上反应以提供化学吸附层；c使用惰性气体吹扫所述反应器中任何未反应的硅前体和或反应副产物；d向所述反应器中提供含有氨源的等离子体以与所述化学吸附层反应而形成氮化硅膜；和e用惰性气体吹扫所述反应器中任何进一步的反应副产物；其中重复步骤b至e，直到沉积所需厚度的所述氮化硅膜，其中所形成的膜具有通过X射线光电子能谱测量的少于5原子量％的碳含量。

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