恭喜朗姆研究公司邓若鹏获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利在3D NAND结构上的原子层沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113424300B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980092041.9，技术领域涉及：H01L21/285；该发明授权在3D NAND结构上的原子层沉积是由邓若鹏;巴晓兰;于天骅;潘宇;高举文设计研发完成，并于2019-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本在3D NAND结构上的原子层沉积在说明书摘要公布了：描述了提供具有低粗糙度的钨沉积的方法和装置。在一些实施方案中，该方法包括在使用氢作为还原剂的沉积钨的原子层沉积工艺期间使氮与氢共流。在一些实施方案中，所述方法包括在3DNAND结构的侧壁表面上沉积盖层，例如氧化钨或非晶钨层。所公开的实施方案具有广泛的应用，包括将钨沉积到3DNAND结构中。
本发明授权在3D NAND结构上的原子层沉积在权利要求书中公布了：1.一种钨沉积方法，其包括：提供待用含钨材料填充的结构；将所述结构暴露于多个沉积循环，其中每个沉积循环包括将一定剂量的与N2共流的H2和一定剂量的钨前体依次输送至容纳所述结构的室,其中在比所述一定剂量的与N2共流的H2更高的压强下输送所述一定剂量的所述钨前体,其中在至少300托的压强下输送所述一定剂量的所述钨前体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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