恭喜三星电子株式会社金成吉获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利垂直半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112151552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010545433.0，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权垂直半导体装置是由金成吉;金智美;金东谦;金成珍;金廷奂;金赞炯;崔至薰设计研发完成，并于2020-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直半导体装置在说明书摘要公布了：一种垂直半导体装置，可以包括堆叠结构、沟道结构和下部连接结构。堆叠结构可以包括交替重复堆叠的绝缘层和栅电极。堆叠结构可以与衬底的上表面间隔开。沟道结构可以包括电荷存储结构和沟道。沟道结构可以穿过堆叠结构。下部连接结构可以形成在衬底上。下部连接结构可以与沟道和衬底电连接。下部连接结构的侧壁可以包括突出部，该突出部设置在从衬底的上表面开始的所述侧壁在竖直方向上的中心部分处。该垂直半导体装置可以具有高可靠性。
本发明授权垂直半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种垂直半导体装置，包括：堆叠结构，其包括交替重复堆叠的绝缘层和栅电极，所述堆叠结构与衬底的上表面间隔开；沟道结构，其包括电荷存储结构和沟道，所述沟道结构穿过所述堆叠结构；以及下部连接结构，其形成在所述衬底上，所述下部连接结构与所述沟道和所述衬底电连接，其中所述下部连接结构的侧壁包括一个突出部，所述一个突出部设置在从所述衬底的所述上表面开始的所述侧壁在竖直方向上的中心部分处，其中：所述沟道结构包括多个沟道结构，并且所述下部连接结构接触所述衬底的表面，并且所述下部连接结构填充所述衬底的所述上表面与所述堆叠结构之间的间隙以及所述沟道结构的下部之间的部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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