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龙图腾网恭喜中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉及叠阵获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113300209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110559225.0，技术领域涉及：H01S5/024；该发明授权一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉及叠阵是由陈琅;李特;王贞福;于学成设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉及叠阵在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉及叠阵，解决了现有冷却热沉换热能力不佳以及热量传递没有导引措的问题。该冷却热沉包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片、上冷却叠片、导流叠片、下冷却叠片和下密封叠片。上冷却叠片上设置第三入水口、第二出水口、第四镂空微结构；第四镂空微结构内，且与导流叠片上导流结构相对应的位置设有热量导引片；采用铜或金刚石或碳化硅制作的热量导引片采用铜或金刚石或碳化硅制作，包括N个等距排布的筋条，N个等距排布的细筋条构成了N+1个微形通道，筋条的宽度尺寸和微形通道的宽度尺寸均为0.10mm。

本发明授权一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉及叠阵在权利要求书中公布了：1.一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉，包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片1、上冷却叠片2、导流叠片3、下冷却叠片4和下密封叠片5；所述下密封叠片5上设置相互隔离的第一入水口6和第一出水口7；所述下冷却叠片4上设置相互隔离的第一镂空微结构8和第二镂空微结构9；所述第一镂空微结构8的位置对应于第一入水口6；所述第一镂空微结构8内设有由若干个筋板构成的冷却通道10；所述第二镂空微结构9的位置对应于第一出水口7；所述导流叠片3上设置相互隔离的第二入水口11、第三镂空微结构12与导流结构；所述第二入水口11的位置对应于第一镂空微结构8；所述导流结构的位置对应于若干个冷却通道10；所述上冷却叠片2上设有相互隔离的第三入水口14、第二出水口15、第四镂空微结构16；所述第三入水口14与第二出水口15的位置分别对应于第二入水口11、第三镂空微结构12；所述上密封叠片1上设置相互隔离的第四入水口18与第三出水口19，其位置分别对应于第三入水口14与第二出水口15；其特征在于：所述第四镂空微结构16内，且与导流叠片3上导流结构相对应的位置设有热量导引片17；热量导引片17采用铜或金刚石或碳化硅制作，包括N个等距排布的筋条，N个等距排布的筋条构成了N+1个微形通道，筋条的宽度尺寸和微形通道23的宽度尺寸均为0.10mm，且位于热量导引片17中部区域的筋条长度逐渐减小，用于调整芯片表面到流体的换热路径，控制芯片表面温度分布；所述导流结构为波浪状的导流槽13；所述第四镂空微结构16沿着第三入水口14两侧并延伸至第二出水口15。

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