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龙图腾网恭喜航科新世纪科技发展(深圳)有限公司申请的专利一种以SiC为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133818B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411254382.0，技术领域涉及：H01P11/00；该发明授权一种以SiC为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法是由赵广宏;许戎戎设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种以SiC为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种以SiC为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法，包括：在第一单晶SiC晶圆表面刻蚀形成SiC内导体支撑层；在SiC内导体支撑层上形成第一内导体层和第一外导体层，在第一外导体层上形成第一顶盖层；将第二晶圆与第一顶盖层键合，并对第一单晶SiC晶圆进行减薄直至SiC内导体支撑层暴露出来；在SiC内导体支撑层上远离第二晶圆的一侧形成第二内导体层和第二外导体层，在第二外导体层上形成第二顶盖层；去除第一牺牲层、第二牺牲层和第二晶圆，形成微同轴传输线。本申请以单晶SiC晶圆作为制备基底，并直接在单晶SiC晶圆上形成SiC内导体支撑层，确保内导体支撑层更加牢固，不易变形，提高了微同轴传输线的制备效率。

本发明授权一种以SiC为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种以SiC为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法，其特征在于，包括：在第一单晶SiC晶圆表面刻蚀形成SiC内导体支撑层；在SiC内导体支撑层上形成第一内导体层和第一外导体层，在垂直于微同轴传输线的延伸方向上，所述第一外导体层位于第一内导体层的两侧，且第一外导体层的高度大于第一内导体层的高度；所述第一外导体层和第一内导体层之间填充有第一牺牲层；在第一外导体层上形成第一顶盖层；所述第一顶盖层覆盖所述第一内导体层和第一外导体层；将第二晶圆与第一顶盖层键合，并对第一单晶SiC晶圆进行减薄直至SiC内导体支撑层暴露出来；在SiC内导体支撑层上远离第二晶圆的一侧形成第二内导体层和第二外导体层，在垂直于微同轴传输线的延伸方向上，所述第二外导体层位于第二内导体层的两侧，且第二外导体层的高度大于第二内导体层的高度；所述第二外导体层和第二内导体层之间填充有第二牺牲层；在第二外导体层上形成第二顶盖层；所述第二顶盖层覆盖所述第二内导体层和第二外导体层；去除第一牺牲层、第二牺牲层和第二晶圆，形成微同轴传输线。

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