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龙图腾网恭喜湖南师范大学申请的专利激光雷达光源装置和激光雷达获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118970632B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411434671.9，技术领域涉及：H01S5/40；该发明授权激光雷达光源装置和激光雷达是由潘安练设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本激光雷达光源装置和激光雷达在说明书摘要公布了：本申请提供一种激光雷达光源装置和激光雷达。一种激光雷达光源装置，包括激光光源；及量子阱像素组，包括可单独电性控制的多个量子阱像素芯片，量子阱像素芯片在不同电压或不同电流下对激光光源的激光折射率不同，多个量子阱像素芯片用于设于激光光源的光路上以调节激光角度；各所述量子阱像素芯片包括依次层叠设置的基板层、反射镜层、第一电极、发光层和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极中一个为P电极，另一个为N电极。其中，量子阱像素组包括可进行电性单独控制的多个量子阱像素芯片，量子阱像素芯片在不同电压或不同电流下对激光光源的激光折射率不同，激光出射方向就可以主动发生偏转，进而实现对激光出射光束的空间转角可调。

本发明授权激光雷达光源装置和激光雷达在权利要求书中公布了：1.一种激光雷达光源装置，其特征在于，包括：激光光源；及量子阱像素组，包括可单独电性控制的多个量子阱像素芯片，所述量子阱像素芯片在不同电压或不同电流下对所述激光光源的激光折射率不同，所述多个量子阱像素芯片用于设于所述激光光源的光路上以调节激光角度；各所述量子阱像素芯片包括依次层叠设置的基板层、反射镜层、第一电极、发光层和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极中一个为P电极，另一个为N电极；所述反射镜层的厚度为1μm~2μm；所述基板层的厚度为100μm-1000μm；各所述量子阱像素芯片还包括P型掺杂层和N型掺杂层中的至少一种；所述P型掺杂层设于所述P电极和所述发光层之间，所述N型掺杂层设于所述N电极和所述发光层之间；各所述量子阱像素芯片还包括钝化层，所述钝化层覆设于所述基板层的上表面至所述第二电极的下表面之间各膜层的侧边，所述钝化层的表面也设有所述第二电极；所述激光雷达光源装置还包括电路控制装置，所述电路控制装置用于对所述多个量子阱像素芯片各自独立地施加相同或不同的电压或施加相同或不同的电流；以所述量子阱像素芯片的预始电压或预始电流为基准，所述电压或所述电流的变化量为所述预始电压或所述预始电流的10%~300%；所述激光雷达光源装置还包括棱镜，所述棱镜设于所述激光光源和所述量子阱像素组之间，以使所述激光光源发射的激光经所述棱镜反射的激光再进入所述量子阱像素组。

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