恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司郇小伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器的制备方法及背照式图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451257B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510038182.X，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背照式图像传感器的制备方法及背照式图像传感器是由郇小伟;汪勇;金文祥设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器的制备方法及背照式图像传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种背照式图像传感器的制备方法及背照式图像传感器，具体涉及半导体技术领域。所述背照式图像传感器的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底内形成多个沟槽；在多个所述沟槽的内壁及所述沟槽两侧的所述衬底上形成氮化物隔离层；向形成有所述氮化物隔离层的所述沟槽内填充半导体材料，以形成光电感应区；在所述衬底上形成金属互连结构，所述金属互连结构覆盖所述光电感应区；对所述衬底背离所述金属互连结构的一侧进行减薄；在所述衬底背离所述金属互连结构的一侧形成格栅结构。本发明的制备方法可以有效改善离子损伤及光学串扰问题。
本发明授权背照式图像传感器的制备方法及背照式图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，并在所述衬底内形成多个沟槽；在多个所述沟槽的内壁及所述沟槽两侧的所述衬底上形成氮化物隔离层；向形成有所述氮化物隔离层的所述沟槽内填充半导体材料，以形成光电感应区；在所述衬底上形成金属互连结构，所述金属互连结构覆盖所述光电感应区；将所述衬底翻转，以所述沟槽底部的氮化物隔离层为停止层，对所述衬底背离所述金属互连结构的一侧进行减薄，并去除所述沟槽底部的氮化物隔离层；在所述衬底背离所述金属互连结构的一侧形成格栅结构；其中，采用外延的方式向所述沟槽内填充不同类型的半导体材料形成光电感应区，在进行外延步骤之前，还包括：在所述氮化物隔离层上沉积一层缓冲层，所述缓冲层的材料为单晶硅或多晶硅。
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