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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种空气槽隔离结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510045397.4，技术领域涉及：H01L21/764；该发明授权一种空气槽隔离结构的制造方法是由姚国亮;乔明;王嘉伟设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种空气槽隔离结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种空气槽隔离结构的制造方法，属于集成电路制造领域。包括如下步骤：在半导体衬底上，热氧或淀积形成ONO硬掩蔽层；在ONO硬掩蔽层上表面光刻涂胶和曝光，刻蚀形成空气槽位置；干法刻蚀所述的半导体衬底，形成深槽结构；对深槽结构做牺牲氧化和牺牲氧化漂洗，形成牺牲氧化后的深槽结构；在氧化后的深槽结构侧壁和底面热氧化形成二氧化硅的热氧化缓冲层；淀积封口氧化层，将深槽结构表面填满；使用CMP平坦化去除ONO硬掩蔽层最上面的二氧化硅；湿法漂洗掉氮化硅层、二氧化硅垫氧层，形成完整的空气槽隔离结构。本发明以简单的工序实现完整的空气槽隔离结构，实现工艺成本的降低和生产效率的提高；实现简单可靠的工艺控制；减小表面应力风险。

本发明授权一种空气槽隔离结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种空气槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S01：在半导体衬底上，热氧或淀积形成一层二氧化硅的垫氧层，然后在垫氧层上淀积一层氮化硅，在氮化硅上淀积一层二氧化硅的介质膜层；二氧化硅的垫氧层、氮化硅和二氧化硅的介质膜层组成的ONO膜层结构形成槽刻蚀的ONO硬掩蔽层；步骤S02：在ONO硬掩蔽层上表面光刻涂胶和曝光，然后刻蚀所述的ONO硬掩蔽层，再去除光刻胶，定义形成空气槽位置；步骤S03：利用所述ONO硬掩蔽层的阻挡，在空气槽位置处干法刻蚀所述的半导体衬底，形成深槽结构；步骤S04：对深槽结构做牺牲氧化和牺牲氧化漂洗，形成牺牲氧化后的深槽结构；牺牲氧化后的深槽结构位于半导体内的槽宽比位于ONO硬掩蔽层的槽宽更宽；步骤S05：在氧化后的深槽结构侧壁和底面热氧化形成深槽侧壁和底面的二氧化硅的热氧化缓冲层；步骤S06：在深槽结构及ONO硬掩蔽层上表面淀积封口氧化层，将深槽结构表面填满，并在深槽内形成气隙；步骤S07：使用CMP平坦化去除ONO硬掩蔽层最上面的二氧化硅；然后湿法漂洗掉氮化硅层；湿法漂洗掉ONO硬掩蔽层最下面的二氧化硅垫氧层；进而形成完整的空气槽隔离结构；深槽表面的氧化层封口位置距离深槽表面氧化层的顶部的高度在氮化硅和垫氧层去除后被精确地控制，深槽表面氧化层的顶部的高度高于半导体衬底表面的高度，且半导体层内的氧化层的宽度比半导休层外的氧化层宽度更宽；步骤S08：在空气槽隔离结构的基础上增加STI或LOCOS橫向隔离，形成最终的空气槽隔离结构；STI或LOCOS橫向隔离的位置不与深槽隔离结构交叠，减小槽表面应力风险。

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