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龙图腾网恭喜上海维安半导体有限公司申请的专利一种电容检测系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119519673B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510099649.1，技术领域涉及：H03K5/153；该发明授权一种电容检测系统及方法是由赵德森;董振斌;陈凯华设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容检测系统及方法在说明书摘要公布了：本发明供一种电容检测系统及方法，涉及电子电路技术领域，包括：将芯片引脚电容的电容值转化为电容时钟信号；定期获取电容时钟信号作为实时电容时钟信号，在每次获取得到实时电容时钟信号时，计算实时电容时钟信号与锁存的历史电容时钟信号之间的电容值差值，在判断电容值差值大于第一分辨率时将锁存的历史电容时钟信号更新为实时电容时钟信号，以及在判断电容值差值大于第二分辨率时输出表示电容变化的指示信号。有益效果是精细的计算方式有助于准确捕捉电容的微小变化；多分辨率的判断机制提高了系统的灵活性和准确性，通过设定合理的分辨率阈值，系统能够有效地降低因电容微小波动而引起的误报率，提高系统的稳定性和可靠性。

本发明授权一种电容检测系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种电容检测系统，其特征在于，包括：电容采样模块，连接芯片引脚电容，用于将所述芯片引脚电容的电容值转化为电容时钟信号；主控模块，连接所述电容采样模块，用于定期获取所述电容时钟信号作为实时电容时钟信号，在每次获取得到所述实时电容时钟信号时，计算所述实时电容时钟信号与锁存的历史电容时钟信号之间的电容值差值，在判断所述电容值差值大于第一分辨率时将锁存的所述历史电容时钟信号更新为所述实时电容时钟信号，以及在判断所述电容值差值大于第二分辨率时输出表示电容变化的指示信号；所述电容采样模块为运算放大器环路，所述运算放大器环路的正向端接收参考电压，所述运算放大器环路的反向端接收基准电流并连接所述芯片引脚电容，用于对所述芯片引脚电容充放电并将所述芯片引脚电容的电容值转化为电容时钟信号；所述运算放大器环路中包括：差分比较器，所述差分比较器的基准端接收所述参考电压，所述差分比较器的电容端连接所述芯片引脚电容、放电开关管的源极以及充电开关管的漏极，所述充电开关管的源极接收基准电流，所述放电开关管的漏极接地；共栅电流镜，所述共栅电流镜的第一源极和第二源极分别连接所述差分比较器的第一漏极和第二漏极，所述共栅电流镜中的第一栅极和第二栅极互相连接，还连接所述差分比较器的第一漏极，所述共栅电流镜中的第一漏极和第二漏极接地；二级运算放大电路，所述二级运算放大电路的输入端连接所述共栅电流镜的第一漏极，所述二级运算放大电路的输出端依次串联连接第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输出端连接所述放电开关管的栅极，所述第二反相器的输出端连接所述主控模块输出所述电容时钟信号。

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