恭喜深圳市比昂芯科技有限公司苗斯元获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市比昂芯科技有限公司申请的专利一种忆阻器阵列电压下降计算方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119578339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510111889.9,技术领域涉及:G06F30/367;该发明授权一种忆阻器阵列电压下降计算方法及系统是由苗斯元;王诗甲;王启帆;吴天泽设计研发完成,并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种忆阻器阵列电压下降计算方法及系统在说明书摘要公布了:本申请涉及半导体技术领域,提供了一种忆阻器阵列电压下降计算方法及系统,基于初始位线节点电压、始端位线电压及导线电阻对初始位线节点电压进行迭代计算,得到迭代位线节点电压;基于初始源线节点电压、始端源线电压及导线电阻对初始源线节点电压进行迭代计算,得到迭代源线节点电压;基于迭代位线节点电压和迭代源线节点电压得到忆阻器单元的单元迭代电流;若后一周期的单元迭代电流与前一周期的单元迭代电流的单元绝对差值小于单元差值阈值,则结束迭代计算,能够对忆阻器阵列由于导线电阻引起的电压下降现象进行快速而准确的仿真,为解决忆阻器阵列电压下降导致的忆阻器模拟计算不准确问题提供仿真验证方法、工具。
本发明授权一种忆阻器阵列电压下降计算方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种忆阻器阵列电压下降计算方法,其特征在于,包括:设定所述忆阻器阵列的始端位线电压、始端源线电压、忆阻器单元节点的理想位线节点电压、及忆阻器单元节点的理想源线节点电压;基于所述理想位线节点电压和所述理想源线节点电压得到多个忆阻器单元的单元理想电流;基于多个所述单元理想电流得到所述忆阻器阵列的多个理想位线节点电流、及多个理想源线节点电流;基于所述始端位线电压、所述理想位线节点电流及导线电阻得到多个忆阻器单元的初始位线节点电压;基于所述始端源线电压、所述理想源线节点电流及导线电阻得到多个忆阻器单元的初始源线节点电压;基于所述初始位线节点电压、所述始端位线电压及所述导线电阻对所述初始位线节点电压进行迭代计算,得到迭代位线节点电压;基于所述初始源线节点电压、所述始端源线电压及所述导线电阻对所述初始源线节点电压进行迭代计算,得到迭代源线节点电压;基于所述迭代位线节点电压和所述迭代源线节点电压得到所述忆阻器单元的单元迭代电流;若后一周期的单元迭代电流与前一周期的单元迭代电流的单元绝对差值小于单元差值阈值,则结束所述迭代计算。
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