恭喜清华大学孙皓获国家专利权
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龙图腾网恭喜清华大学申请的专利激光单元、阵列激光芯片以及阵列激光芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119674703B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510188800.9，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权激光单元、阵列激光芯片以及阵列激光芯片的制备方法是由孙皓;姚世鹏;甘霖;吴金华;李永卓;甯存政设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本激光单元、阵列激光芯片以及阵列激光芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种激光单元、阵列激光芯片以及阵列激光芯片的制备方法，涉及激光技术领域。其中，阵列激光芯片的制备方法包括：生成衬底；其中，衬底对稀土增益材料的增益谱线波段内的光透明；基于衬底，利用电子束光刻技术，刻蚀得到多个光子晶体微腔；其中，多个光子晶体微腔中，至少一个光子晶体微腔的谐振模式与其他光子晶体微腔不同；利用微纳材料转移技术，将稀土增益材料转移到每一个光子晶体微腔的表面，在每一个光子晶体微腔的表面形成稀土增益材料层。本发明可以有效利用稀土增益材料的光学性质，提供一种高性能、高稳定性的1.5μm波段的阵列激光芯片。
本发明授权激光单元、阵列激光芯片以及阵列激光芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种激光单元，其特征在于，包括：光子晶体微腔；耦合在所述光子晶体微腔表面的稀土增益材料层；其中，所述光子晶体微腔的谐振模式与所述稀土增益材料层的光学增益谱线中的目标波长匹配；其中，所述目标波长在1.5µm波段；其中，当泵浦光照射到所述稀土增益材料层时，所述稀土增益材料层发射出宽谱荧光，所述宽谱荧光中所述目标波长的荧光在所述光子晶体微腔的谐振和选模作用下，被加强产生所述目标波长的激光。
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