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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)申请的专利一种锑化物单横模外腔激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119695630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510214302.7，技术领域涉及：H01S5/14；该发明授权一种锑化物单横模外腔激光器是由禹智斌;李孟霈;姜倩倩设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锑化物单横模外腔激光器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供的锑化物单横模外腔激光器，至少包括本征腔模块、外腔反馈模块和激光输出模块；其中，本征腔模块包括具有由下至上依次层叠的衬底、N型锑化物层、有源区、P型锑化物层和电极的锑化物增益芯片；外腔反馈模块设置在锑化物增益芯片的前腔面靠外的一侧，激光输出模块设置在锑化物增益芯片的后腔面靠外的一侧；由锑化物增益芯片的前腔面出射的激光光束经波长调谐组件行选频、滤波和衍射后，沿入射光路反射至前腔面侧，并经有源区的传递后由其后腔面出射，最后以单横模形式输出。本申请采用锑化物增益芯片作为增益介质，将激光器的工作波长拓展到中红外波段，提高了波长选择性和调谐范围，且良好地保持了单模输出特性。

本发明授权一种锑化物单横模外腔激光器在权利要求书中公布了：1.一种锑化物单横模外腔激光器，其特征在于，包括：本征腔模块，包括锑化物增益芯片；所述锑化物增益芯片具有由下至上依次层叠的衬底、N型锑化物层、有源区、P型锑化物层和用于连接外部电源的电极；当所述电极被施加电压时，电子从所述N型锑化物层被注入到所述有源区，空穴从所述P型锑化物层被注入到有源区，所述电子和空穴在有源区复合、激发而产生激光光束；所述锑化物增益芯片具有相对设置的前腔面和后腔面，所述激光光束通过其前腔面出射；外腔反馈模块，设置在所述锑化物增益芯片的前腔面靠外的一侧；所述外腔反馈模块至少包括波长调谐组件；所述外腔反馈模块用于接收经所述锑化物增益芯片的所述前腔面出射的所述激光光束，通过所述波长调谐组件对所述激光光束进行选频滤波，选频滤波后的激光光束在衍射后沿入射光路反射至所述锑化物增益芯片的前腔面侧，并经所述有源区的传递后由所述锑化物增益芯片的后腔面出射；其中，所述波长调谐组件至少包括闪耀光栅；所述闪耀光栅与所述锑化物增益芯片的后腔面构成谐振腔，通过旋转所述闪耀光栅的转角实现所述衍射后的激光光束的波长调谐；激光输出模块，设置在所述锑化物增益芯片的后腔面靠外的一侧，用于接收经所述锑化物增益芯片的所述后腔面出射的衍射后的激光光束，并以单横模形式输出。

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