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龙图腾网恭喜深圳市创飞芯源半导体有限公司申请的专利IGBT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767701B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510252498.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权IGBT器件及其制备方法是由杨旭刚;田月姣;陈仪霖设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，包括：在衬底的第一面形成第一深度的第一沟槽和第二深度的第二沟槽，第一深度大于第二深度；进行第二导电类型离子注入形成第一、第二底部掺杂区；形成栅氧化层和栅极层；在衬底中形成载流子存储层，使第二底部掺杂区反型以消除第二底部掺杂区，载流子存储层的深度小于第一底部掺杂区顶部的深度，以保留第一底部掺杂区；在衬底中形成体区和有源区，体区的深度小于第二沟槽的深度；在衬底的第一面形成隔离层和金属互连层；在衬底的第二面形成集电极。本发明的IGBT器件在沟槽底部以及侧壁不会产生较大的电场，降低了对沟槽刻蚀工艺的敏感性，可以有效提高IGBT器件在雪崩状态下的稳定性。

本发明授权IGBT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在第一导电类型衬底的第一面形成第一深度的第一沟槽和第二深度的第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽间隔排布，所述第一深度大于所述第二深度；在所述第一沟槽底部和所述第二沟槽底部进行第二导电类型离子注入分别形成第一底部掺杂区和第二底部掺杂区；在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成栅氧化层，并填充栅极层；对所述衬底进行第一导电类型离子注入以在所述衬底中形成载流子存储层，所述载流子存储层的掺杂浓度和深度大于所述第二底部掺杂区的掺杂浓度和深度，使所述第二底部掺杂区反型以消除所述第二底部掺杂区，所述载流子存储层的深度小于所述第一底部掺杂区顶部的深度，以保留所述第一底部掺杂区；在所述衬底中形成体区和有源区，所述体区的深度小于所述第二沟槽的深度；在所述衬底的第一面形成隔离层和金属互连层；在所述衬底的第二面形成集电极。

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