恭喜三星电子株式会社赵允来获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111081640B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910649354.1，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由赵允来;张爱熙;韩承宪设计研发完成，并于2019-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，通过减少或防止在小片锯切工艺中可能出现的裂纹的扩展而改善了可靠性和产量。所述半导体器件包括：衬底，其包括第一芯片区域和围绕所述第一芯片区域的划片道区域；位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一低k绝缘膜，其包括介电常数小于氧化硅的介电常数的第一绝缘材料；位于所述划片道区域中的所述衬底上的布线结构，其包括第二低k绝缘膜和所述第二低k绝缘膜中的布线图案，所述第二低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；以及位于所述第一低k绝缘膜与所述布线结构之间的第一保护绝缘膜，其包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括第一芯片区域和围绕所述第一芯片区域的划片道区域；位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一低k绝缘膜，所述第一低k绝缘膜包括介电常数小于氧化硅的介电常数的第一绝缘材料；位于所述划片道区域中的所述衬底上的布线结构，所述布线结构包括彼此电分离的第一项目图案和第二项目图案，其中，所述第一项目图案和所述第二项目图案中的每一者包括第二低k绝缘膜和所述第二低k绝缘膜中的布线图案，所述第二低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；位于所述第一低k绝缘膜与所述布线结构之间的第一保护绝缘膜，所述第一保护绝缘膜包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料；以及位于所述第一项目图案与所述第二项目图案之间的第三保护绝缘膜，所述第三保护绝缘膜包括所述第二绝缘材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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