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龙图腾网恭喜奥格科技股份有限公司申请的专利一种超低损耗低端理想二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111193387B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010116370.7，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权一种超低损耗低端理想二极管是由陈石平;彭进双设计研发完成，并于2020-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超低损耗低端理想二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超低损耗低端理想二极管，包括组合逻辑控制电路和第一NMOS管，组合逻辑控制电路包括第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻和第二电阻，第一NMOS管的漏极连接第二NMOS管的源极和电源负极，第一NMOS管的源极电连接第三NMOS管的源极，第一NMOS管的栅极电连接第三NMOS管的漏极，第二NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极和第三NMOS管的栅极，第二NMOS管的漏极通过第一电阻接电源正极，第三NMOS管的漏极通过第二电阻接电源正极，负载接于电源正极和第一NMOS管的源极之间。本发明具有防止倒灌功能，可以保护前级电路，具有非常低的损耗，电路简单，实用性强。

本发明授权一种超低损耗低端理想二极管在权利要求书中公布了：1.一种超低损耗低端理想二极管，其特征在于：包括组合逻辑控制电路和第一NMOS管，所述组合逻辑控制电路包括第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻和第二电阻，所述第一NMOS管的漏极连接第二NMOS管的源极和电源负极，所述第一NMOS管的源极电连接第三NMOS管的源极，所述第一NMOS管的栅极电连接第三NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极和第三NMOS管的栅极，所述第二NMOS管的漏极通过第一电阻接电源正极，所述第三NMOS管的漏极通过第二电阻接电源正极；由所述组合逻辑控制电路控制所述第一NMOS管的导通与截止，负载接于电源正极和第一NMOS管的源极之间，当第一NMOS管源极的电压load-不小于电源负极的电压GND时，第一NMOS管导通；反之第一NMOS管截止，防止电源负极的GND电流进行倒灌至第一NMOS管源极的load-，保护load-负载电路；电源正极与电源负极接反时，起到防反接保护作用；所述第二NMOS管、第三NMOS管为两个同型号的NMOS管或者具有相同的参数、封装在一起的NMOS对管。

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