恭喜台积电(中国)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司陈正龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜台积电(中国)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053752B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010186664.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由陈正龙设计研发完成，并于2020-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法，包括：在衬底的外延层上方形成硬掩模；在硬掩模上方形成经图案化的掩模；蚀刻硬掩模和外延层以在外延层中形成沟槽，其中，硬掩模的剩余部分覆盖外延层的最上表面，并且沟槽暴露外延层的侧壁；通过沿着与外延层的最上表面的法线不平行的倾斜方向将p型离子束引导到沟槽中来形成P阱区域，其中，在将p型离子束引导到沟槽中期间，通过硬掩模的剩余部分保护外延层的最上表面免受p型离子束的影响；以及在将p型离子束引导到沟槽之后，在沟槽中形成栅极结构。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底的外延层上方形成硬掩模，其中，所述外延层具有N型杂质；在所述硬掩模上方形成经图案化的掩模；使用所述经图案化的掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述硬掩模和所述外延层，以在所述外延层中形成沟槽，其中，所述硬掩模的剩余部分覆盖所述外延层的最上表面，并且所述沟槽暴露所述外延层的侧壁；在所述沟槽的底部中形成第一氧化物层，其中，所述外延层的所述侧壁的上部在形成所述第一氧化物层之后保持暴露；通过沿着与所述外延层的所述最上表面的法线不平行的倾斜方向将p型离子束引导到所述沟槽中来形成P阱区域，其中，在将所述p型离子束引导到所述沟槽中期间，通过所述硬掩模的所述剩余部分保护所述外延层的所述最上表面免受所述p型离子束的影响；以及在将所述p型离子束引导到所述沟槽中之后，在所述沟槽中形成栅极结构。
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