恭喜全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网北京市电力公司张红丹获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网北京市电力公司申请的专利一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111524796B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010238731.5，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法是由张红丹;焦倩倩;刘瑞;吴昊;李玲;赛朝阳;吴军民;金锐;汤广福设计研发完成，并于2020-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其的处理方法，在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入。本发明大大减小了碳化硅外延片的翘曲度，且降低了拒片率，提高了光刻工艺精度和离子注入加工精度，降低了离子注入的拒片率和碎片率，大大提高了碳化硅外延片的精度和合格率；在碳化硅外延片正面和背面分步形成各自的介质层，抵消了碳化硅外延片正面直接淀积介质层带来的材料应力，为碳化硅外延片的翘曲度的改善提供基础；成本低，效率高，适用于多种规格的碳化硅外延片。
本发明授权一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在于，包括：在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入；所述在碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层，包括：在所述碳化硅外延片正面淀积第一介质层；所述第一介质层形成后预设时间后，在所述碳化硅外延片背面淀积第二介质层；所述第一介质层形成后预设时间后，在所述碳化硅外延片正面淀积第三介质层；所述第一介质层、第二介质层和第三介质层均为二氧化硅、氮化硅、多晶硅中的一种或至少两种的组合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网北京市电力公司，其通讯地址为：102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号