恭喜中芯北方集成电路制造(北京)有限公司蔡巧明获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764504B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010492484.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明;张云香;魏兰英设计研发完成，并于2020-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有隔离结构；在所述半导体衬底和隔离结构表面形成栅极结构，所述栅极结构包括形成于所述半导体衬底和隔离结构表面的栅介质层以及形成于所述栅介质层表面的栅极层；在所述栅极结构两侧形成侧墙；去除位于所述隔离结构上的部分栅极层，露出部分栅介质层的表面，之后在对应位置填入金属栅。本申请提供的半导体结构及其形成方法可以解决现有器件出现的漏电与失配问题，大幅度提高半导体制造工艺的容错率。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法用于形成MOS晶体管，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有隔离结构；在所述半导体衬底和隔离结构表面形成栅极结构，所述栅极结构包括形成于所述半导体衬底和隔离结构表面的栅介质层以及形成于所述栅介质层表面的栅极层，所述栅极结构的延伸方向与所述隔离结构的延伸方向垂直，所述栅极层的材料为多晶硅或者所述栅极层的材料包括多晶硅以及氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或非晶碳中的至少一种；在所述栅极结构两侧形成侧墙；在所述隔离结构的延伸方向，去除所述隔离结构上的部分栅极层形成凹槽，所述凹槽在所述隔离结构的延伸方向未贯穿所述栅极层；在所述凹槽中填充金属，形成金属栅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯北方集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号