恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司景友亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113823688B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010566015.X，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及其形成方法是由景友亮设计研发完成，并于2020-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括鳍部第一部分；栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部第一部分，且覆盖所述鳍部第一部分的顶部和侧壁，所述栅极结构两侧的鳍部第一部分中形成有凹槽，且所述凹槽底面的宽度小于所述鳍部的宽度。本申请提供的半导体结构及其形成方法通过增大外延层与沟道之间的平均距离，进而减少寄生电容和漏电流，提高器件的可靠性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部和隔离结构，所述鳍部包括鳍部第一部分和鳍部第二部分，所述鳍部第二部分位于所述隔离结构中，且所述鳍部第二部分与所述隔离结构的顶表面齐平；栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部第一部分，且覆盖部分所述鳍部第一部分的顶部和侧壁，所述栅极结构两侧的鳍部第一部分中形成有凹槽，所述凹槽沿垂直于所述半导体衬底的方向延伸至所述鳍部第二部分，所述凹槽沿所述鳍部的延伸方向向栅极结构延伸，沿所述凹槽的延伸方向，所述凹槽顶面的宽度等于所述鳍部的宽度，且所述凹槽底面的宽度小于所述鳍部的宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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