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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利FINFET接触及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010848997.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权FINFET接触及其形成方法是由张简鹏崇;廖高锋;萧钧文;何信颖;庄胜超设计研发完成，并于2020-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本FINFET接触及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及FINFET接触及其形成方法。一种器件，包括：半导体鳍，从衬底突出；位于半导体鳍上方的第一栅极堆叠和位于半导体鳍上方的第二栅极堆叠；位于邻近第一栅极堆叠的半导体鳍中的第一源极漏极区域和位于邻近第二栅极堆叠的半导体鳍中的第二源极漏极区域；位于第一栅极堆叠上的第一层第一电介质材料和位于第二栅极堆叠上的第二层第一电介质材料；第一源极漏极接触，位于第一源极漏极区域上并邻近第一栅极堆叠；第一层第二电介质材料，位于第一源极漏极接触的顶表面上；以及第二源极漏极接触，位于第二源极漏极区域上并邻近第二栅极堆叠，其中，第二源极漏极接触的顶表面不含第二电介质材料。

本发明授权FINFET接触及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成半导体鳍；在所述半导体鳍上方形成第一栅极堆叠和第二栅极堆叠，所述第一栅极堆叠和所述第二栅极堆叠被层间电介质ILD围绕；在所述第一栅极堆叠和所述第二栅极堆叠上形成第一电介质材料，其中，所述第一电介质材料的顶表面高出所述衬底第一高度；执行蚀刻工艺以在邻近所述第一栅极堆叠的所述ILD中形成第一开口，并且在邻近所述第二栅极堆叠的所述ILD中形成第二开口，其中，在所述蚀刻工艺之后，所述第一电介质材料的位于所述第一栅极堆叠上的顶表面高出所述衬底第二高度，所述第二高度小于所述第一高度；在所述第一开口中形成第一导电材料以形成第一接触插塞，并且在所述第二开口中形成所述第一导电材料以形成第二接触插塞；在所述第一接触插塞上方和所述第二接触插塞上方形成第二电介质材料；以及对所述第二电介质材料执行平坦化工艺，其中，在所述平坦化工艺之后，所述第二接触插塞的所述第一导电材料被暴露，并且所述第一接触插塞的所述第一导电材料被所述第二电介质材料覆盖。

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