恭喜长鑫存储技术有限公司盛超军获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利电容结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011105560.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权电容结构及其制作方法是由盛超军;陆勇设计研发完成，并于2020-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种电容结构及其制作方法。该电容结构包括：衬底、第一电容接触层、下电极层、电容介质层和上电极层，其中，第一电容接触层阵列排布于衬底上，下电极层围绕第一电容接触层侧壁，并沿第一电容接触层背离衬底的方向延伸，电容介质层覆盖衬底上表面、下电极层表面及第一电容接触层上表面，上电极层覆盖电容介质层表面。本申请提供的电容结构及其制作方法，增加了环绕第一电容接触层侧壁的电容面积，从而增大了电容的面积，降低了双面电容结构的阻值。
本发明授权电容结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种电容结构，其特征在于，包括：衬底；第一电容接触层，阵列排布于所述衬底上；下电极层，围绕所述第一电容接触层侧壁，并沿所述第一电容接触层侧壁背离所述衬底的方向延伸，所述下电极层的高度大于所述第一电容接触层的高度；第二电容接触层，位于所述第一电容接触层上表面，所述第二电容接触层与所述下电极层电连接，所述第二电容接触层与所述下电极层组成下电极，所述第二电容接触层的材料与所述下电极层的材料相同；电容介质层，覆盖且接触所述衬底上表面、所述下电极层表面及所述第二电容接触层上表面；上电极层，覆盖所述电容介质层表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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